用於執行製造程序的方法及相關聯裝置
    21.
    发明专利
    用於執行製造程序的方法及相關聯裝置 审中-公开
    用于运行制造进程的方法及相关联设备

    公开(公告)号:TW202014796A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:TW108117598

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本發明揭示一種用於將特徵指派成至少第一特徵及第二特徵之方法,該等第一特徵係用於經組態供用於一微影程序中以在一基板上形成對應第一結構之至少一個第一圖案化器件,且第二特徵係用於經組態供用於一微影程序中以在一基板上形成對應第二結構之至少一個第二圖案化器件,其中該方法包含基於該等特徵之一圖案化特性將該等特徵指派成該等第一特徵及該等第二特徵。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于将特征指派成至少第一特征及第二特征之方法,该等第一特征系用于经组态供用于一微影进程中以在一基板上形成对应第一结构之至少一个第一图案化器件,且第二特征系用于经组态供用于一微影进程中以在一基板上形成对应第二结构之至少一个第二图案化器件,其中该方法包含基于该等特征之一图案化特性将该等特征指派成该等第一特征及该等第二特征。

    針對模擬系統之用於判定晶圓之層的蝕刻輪廓的方法
    24.
    发明专利
    針對模擬系統之用於判定晶圓之層的蝕刻輪廓的方法 审中-公开
    针对仿真系统之用于判定晶圆之层的蚀刻轮廓的方法

    公开(公告)号:TW202010995A

    公开(公告)日:2020-03-16

    申请号:TW108125920

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本發明描述一種用於判定一蝕刻輪廓之方法。該方法包含判定一起始遮蔽層輪廓。判定負載資訊。該負載資訊指示該遮蔽層輪廓之一蝕刻速率對所蝕刻的材料之一數量及圖案的相依性。判定通量資訊。該通量資訊指示該蝕刻速率對入射於該遮蔽層輪廓上之輻射的一強度及一散佈角之相依性。判定重新沈積資訊。該重新沈積資訊指示該蝕刻速率對自該遮蔽層輪廓移除且重新沈積回到該遮蔽層輪廓上之材料的一量之相依性。該晶圓之該層的輸出蝕刻輪廓基於該負載資訊、該通量資訊及/或該重新沈積資訊而判定。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种用于判定一蚀刻轮廓之方法。该方法包含判定一起始屏蔽层轮廓。判定负载信息。该负载信息指示该屏蔽层轮廓之一蚀刻速率对所蚀刻的材料之一数量及图案的相依性。判定通量信息。该通量信息指示该蚀刻速率对入射于该屏蔽层轮廓上之辐射的一强度及一散布角之相依性。判定重新沉积信息。该重新沉积信息指示该蚀刻速率对自该屏蔽层轮廓移除且重新沉积回到该屏蔽层轮廓上之材料的一量之相依性。该晶圆之该层的输出蚀刻轮廓基于该负载信息、该通量信息及/或该重新沉积信息而判定。

    微影裝置
    29.
    发明专利
    微影裝置 审中-公开
    微影设备

    公开(公告)号:TW202004844A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:TW108116031

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 本發明揭示一種用於提供氧氣(O2)至一EUV微影裝置之氣流控制系統,該氣流控制系統包含:一第一入口,其經組態以連接至一第一氣體源,該第一氣體包含氧氣(O2);一第二入口,其經組態以連接至一第二氣體源,該第二氣體不含任何(O2)氣體;該氣流控制系統經組態以混合該第一氣體與該第二氣體以獲得包含經稀釋之氧氣(O2)的一混合氣體;該氣流控制系統進一步包含:一第一出口,其經組態以輸出一第一量之該混合氣體至該EUV微影裝置之一內部;及一第二出口,其經組態以輸出一第二量的該混合氣體至在該EUV微影裝置外部的一轉儲器。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于提供氧气(O2)至一EUV微影设备之气流控制系统,该气流控制系统包含:一第一入口,其经组态以连接至一第一气体源,该第一气体包含氧气(O2);一第二入口,其经组态以连接至一第二气体源,该第二气体不含任何(O2)气体;该气流控制系统经组态以混合该第一气体与该第二气体以获得包含经稀释之氧气(O2)的一混合气体;该气流控制系统进一步包含:一第一出口,其经组态以输出一第一量之该混合气体至该EUV微影设备之一内部;及一第二出口,其经组态以输出一第二量的该混合气体至在该EUV微影设备外部的一转储器。

Patent Agency Ranking