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公开(公告)号：CN107075720A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049436.2
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
Abstract: 提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。
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公开(公告)号：CN104114976B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201280064551.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01B11/24 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/26 , C30B29/06 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及通过对所述内表面照射光，并检测其反射光，来测量所述内表面的三维形状的工序。
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公开(公告)号：CN106687624A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580049467.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状(S11)，预先设定氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位的预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状来求取满足初期液位的预测值硅熔液的体积(S13)，求取具有所述体积的硅熔液的重量(S14)，在氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量的原料(S15)，以及基于初期液位的预测值来控制晶种的着液(S17)。
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公开(公告)号：CN104937705A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005010.2
申请日：2014-01-24
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法，包括下述步骤：通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值，其中，分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小，分析方法2是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越大，并且其中，通过基于由概率分布函数规定的正常值评价分析值，来判断是否具有因评价对象金属元素而导致的局部污染。
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公开(公告)号：CN104145051A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280063279.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58
Abstract: 本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光，并检测来自所述内表面的内表面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离，通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104136665A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280065352.4
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 通过旋转模具法制造相对于设计数据的三维形状的匹配度高的氧化硅玻璃坩埚。在基于最初的物性参数得到的模拟数据以及测定数据的三维形状的匹配度低于规定的水平的情况下，设定该匹配度达到规定的水平以上的改善物性参数。另外，在基于最初的制造条件得到的模拟数据以及测定数据的三维形状的匹配度低于规定的水平的情况下，设定得到与设计数据的匹配度达到规定的水平以上的模拟数据的改善制造条件。其结果，可以将氧化硅玻璃坩埚的设计数据以及测定数据的三维形状的匹配度提高至规定的水平以上。即，可以通过旋转模具法制造相对于设计数据的三维形状的匹配度高的氧化硅玻璃坩埚。
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公开(公告)号：CN104114754A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280065351.X
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 本发明有效抑制氧化硅玻璃坩埚12的压曲或者向侧壁部15的坩埚内部的翻倒。提供一种氧化硅玻璃坩埚12，其具备：具有上面开口的边缘部的圆筒状的侧壁部15、由曲线构成的研钵状的底部16、和连接侧壁部15和底部16的弯曲部17。该氧化硅玻璃坩埚12中，侧壁部15的厚度方向的每单位面积的热阻大于弯曲部17的厚度方向的每单位面积的热阻。
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公开(公告)号：CN101175873B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200580049782.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及均匀混合含氢气体和惰性气体而生成混氢气体的气体混合装置。
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公开(公告)号：CN101093791A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710128807.3
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/26533
Abstract: 一种制造粘结的晶片的方法，通过将用于有源层和支撑层的两个硅晶片彼此粘结，然后将用于有源层的晶片减薄来进行，其中，在粘结前向用于有源层的晶片表面注入氮离子，以在用于有源层的晶片内部形成氮化物层。
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公开(公告)号：JPWO2016125605A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016573278
申请日：2016-01-22
Abstract: 【課題】チャンバー内の異物を除去して有転位化を抑制することが可能な単結晶引き上げ装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】本発明による単結晶引き上げ装置のクリーニング方法は、ルツボ内の原料融液の液面を模したダミー液面と、前記原料融液の液面から上方に引き上げ途中の単結晶インゴットを模した第1のダミーインゴットとを含む前記ルツボを模したダミールツボを用意し、単結晶引き上げ装置の減圧されたチャンバー内に前記ダミールツボを設置した状態で不活性ガスを供給し、前記ダミールツボの影響を受けた不活性ガスの流れを発生させて、前記チャンバーの壁面又は前記チャンバー内の部品に付着した異物を脱落させる。【選択図】図2
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