公开(公告)号：KR102226978B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020170104748

申请日：2017-08-18

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 문상철 ,  김진태 ,  최항석

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/08

Abstract: 일구현에따라, 시동동안공진형커패시턴스안정화를위한공진형변환기는스위칭동작들동안제 1 전력스위치에대해제 1 구동기를구동하기위한제 1 클록신호, 및제 2 전력스위치에대해제 2 구동기를구동하기위한제 2 클록신호를생성하도록구성된발진기, 및공진형변환기의스위칭동작들의초기화동안공진형네트워크의공진형커패시터를방전시키기위해제 2 구동기를제어하여제 2 전력스위치를주기적으로활성화하도록구성된공진형커패시터안정기를포함한다.

公开(公告)号：KR102198630B1

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：KR1020140192630

申请日：2014-12-29

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 김태성 ,  구관본

IPC: G01R19/00 ,  H02M3/28

Abstract: 전력공급장치는전력스위치, 상기전력스위치의스위칭동작에따라공급되는전류를정류하여출력전류를생성하는정류다이오드, 및상기전력스위치에흐르는스위치전류에따르는감지전압에대응하는검출감지전압과보상방전기간을이용하여상기출력전류에대응하는출력전류추정전압을생성하는스위치제어회로를포함한다. 상기보상방전기간은상기정류다이오드에흐르는방전전류의피크시점부터상기방전전류가영 전류가되는시점까지의기간이다.

公开(公告)号：KR102159251B1

公开(公告)日：2020-09-23

申请号：KR1020150047101

申请日：2015-04-02

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 정봉근 ,  김태성 ,  구관본

IPC: G01R31/50 ,  G01R1/20

公开(公告)号：KR102143890B1

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：KR1020130122942

申请日：2013-10-15

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 이근혁 ,  전오섭 ,  손준서 ,  임승원

IPC: H01L23/28

公开(公告)号：KR102086615B1

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：KR1020130015503

申请日：2013-02-13

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 오재영 ,  이형석

IPC: G01R19/165 ,  G01R19/00

公开(公告)号：KR102077557B1

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：KR1020130120824

申请日：2013-10-10

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 구관본 ,  김진태 ,  임원석

IPC: H03K17/081 ,  H02M1/32 ,  H02M3/335

公开(公告)号：KR102062566B1

公开(公告)日：2020-01-06

申请号：KR1020110010699

申请日：2011-02-07

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 정진화 ,  안병학 ,  최문호 ,  김재운

IPC: H05B37/02 ,  G09G3/32

公开(公告)号：KR101998717B1

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：KR1020180115593

申请日：2018-09-28

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 이재길 ,  김진명 ,  이광원 ,  김경덕 ,  장호철

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

公开(公告)号：KR102008359B1

公开(公告)日：2019-08-07

申请号：KR1020130020099

申请日：2013-02-25

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 송문식 ,  허석

IPC: G01R31/36 ,  H01M10/48

公开(公告)号：KR102246570B1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：KR1020140119384

申请日：2014-09-05

Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사

Inventor： 이순학 ,  후용충 ,  김혜미

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/098 ,  H01L29/78

Abstract: 전력반도체장치는, 기판의제1 영역내에배치되는다이오드부분; 상기기판의상기제1 영역에인접한제2 영역내에배치되는 JFET 부분; 상기기판의상기제1 영역상에배치되는애노드단자; 및상기기판의상기제2 영역상에배치되는캐소드단자;를포함하며, 상기다이오드부분은, 상기기판내에배치되며, 상기애노드단자와전기적으로연결되는 p형바디영역, 상기 p형바디영역의일측상에배치되며, 제1 불순물농도를갖는 n형웰, 상기 p형바디영역하부에배치되며, 상기제1 불순물농도보다낮은제2 불순물농도를갖는제1 n형반도체영역을포함한다.