公开(公告)号：TW201701334A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105118667

申请日：2016-06-15

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 謝琦 ,  XIE, QI ,  湯福 ,  TANG, FU ,  吉文斯 麥克 尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: H01L21/283 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66568

Abstract: 在一些態樣中，提供形成金屬硒化物或金屬碲化物薄膜之方法。根據一些方法，金屬硒化物或金屬碲化物薄膜以循環沉積製程在反應空間中在基材上沉積，其中至少一個循環包括使該基材與第一氣相金屬反應物及第二氣相硒或碲反應物交替地且依次地接觸。在一些態樣中，提供在基材表面上形成三維構造之方法。在一些實施例中，該方法包括在基材與電介質之間形成金屬硒化物或金屬碲化物界面層。在一些實施例中，該方法包括在基材與導電層之間形成金屬硒化物或金屬碲化物介電層。

Abstract in simplified Chinese: 在一些态样中，提供形成金属硒化物或金属碲化物薄膜之方法。根据一些方法，金属硒化物或金属碲化物薄膜以循环沉积制程在反应空间中在基材上沉积，其中至少一个循环包括使该基材与第一气相金属反应物及第二气相硒或碲反应物交替地且依次地接触。在一些态样中，提供在基材表面上形成三维构造之方法。在一些实施例中，该方法包括在基材与电介质之间形成金属硒化物或金属碲化物界面层。在一些实施例中，该方法包括在基材与导电层之间形成金属硒化物或金属碲化物介电层。

公开(公告)号：TW201700781A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105101795

申请日：2016-01-21

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  希爾 艾瑞克 R. ,  HILL, ERIC R.

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719

Abstract: 一種用於自基板之表面去除氧化物材料之系統可包括用以收納基板之基板托盤，及用以收納基板托盤之冷卻體。系統可包括：第一溫度控制元件，其經組態以控制基板托盤之溫度，及第二溫度控制元件，其經組態以控制冷卻體之溫度，第一及第二溫度控制元件可經獨立地控制。一種用於自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加熱元件之基板托盤上提供基板；藉由將熱自基板托盤傳遞至冷卻體以冷卻基板；在基板在冷卻體上時將含有鹵素之材料沈積於冷卻之基板上；隨後通過藉由將熱自基板托盤傳遞至基板而加熱冷卻之基板以使含有鹵素之材料升華。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于自基板之表面去除氧化物材料之系统可包括用以收纳基板之基板托盘，及用以收纳基板托盘之冷却体。系统可包括：第一温度控件，其经组态以控制基板托盘之温度，及第二温度控件，其经组态以控制冷却体之温度，第一及第二温度控件可经独立地控制。一种用于自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加热组件之基板托盘上提供基板；借由将热自基板托盘传递至冷却体以冷却基板；在基板在冷却体上时将含有卤素之材料沉积于冷却之基板上；随后通过借由将热自基板托盘传递至基板而加热冷却之基板以使含有卤素之材料升华。

公开(公告)号：TW201700764A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105118684

申请日：2016-06-15

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 湯福 ,  TANG, FU ,  吉文斯 麥克尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE ,  伍德魯夫 雅各赫夫曼 ,  WOODRUFF, JACOB HUFFMAN ,  謝琦 ,  XIE, QI ,  梅斯 強威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/54 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/285 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 在一些態樣中，提供形成金屬硫族化物薄膜之方法。根據一些方法，金屬硫族化物薄膜以循環沉積製程在反應空間中的基材上沉積，其中至少一個循環包括使該基材與第一氣相金屬反應物及第二氣相硫族反應物交替地且依次地接觸。在一些態樣中，提供在基材表面上形成三維結構之方法。在一些實施例中，該方法包括在基材與導電層之間形成金屬硫族化物介電層。在一些實施例中，該方法包括形成包括金屬硫族化物介電層之MIS型接觸結構。

Abstract in simplified Chinese: 在一些态样中，提供形成金属硫族化物薄膜之方法。根据一些方法，金属硫族化物薄膜以循环沉积制程在反应空间中的基材上沉积，其中至少一个循环包括使该基材与第一气相金属反应物及第二气相硫族反应物交替地且依次地接触。在一些态样中，提供在基材表面上形成三维结构之方法。在一些实施例中，该方法包括在基材与导电层之间形成金属硫族化物介电层。在一些实施例中，该方法包括形成包括金属硫族化物介电层之MIS型接触结构。

公开(公告)号：TW201637073A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105109098

申请日：2016-03-24

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J. ,  木村祥亮 ,  KIMURA, YOSUKE ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI ,  安達渉 ,  ADACHI, WATARU ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI ,  納盆 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本發明提供沈積含硼及碳的膜的方法。在某些實施例中，提供沈積具有例如共形性及蝕刻速率等期望的性質的BC膜的方法。可在小於約400℃的溫度下在基板上分解一或多個含硼及/或碳的前驅物。含硼及碳的膜中的一或多者可具有小於約30埃的厚度。提供摻雜半導體基板的方法。摻雜半導體基板可包括：藉由在約300℃至約450℃的製程溫度下將基板暴露於氣相硼前驅物而在半導體基板上沈積硼及碳膜，其中硼前驅物包含硼、碳、及氫；以及在約800℃至約1200℃的溫度下對硼及碳膜進行退火。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供沉积含硼及碳的膜的方法。在某些实施例中，提供沉积具有例如共形性及蚀刻速率等期望的性质的BC膜的方法。可在小于约400℃的温度下在基板上分解一或多个含硼及/或碳的前驱物。含硼及碳的膜中的一或多者可具有小于约30埃的厚度。提供掺杂半导体基板的方法。掺杂半导体基板可包括：借由在约300℃至约450℃的制程温度下将基板暴露于气相硼前驱物而在半导体基板上沉积硼及碳膜，其中硼前驱物包含硼、碳、及氢；以及在约800℃至约1200℃的温度下对硼及碳膜进行退火。

公开(公告)号：TWI699853B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW107118271

申请日：2018-05-29

Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鄭相桭 ,  JEONG, SANG JIN ,  韓政勳 ,  HAN, JEUNG HOON ,  崔永錫 ,  CHOI, YOUNG SEOK ,  朴柱赫 ,  PARK, JU HYUK

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/36

公开(公告)号：TWI698544B

公开(公告)日：2020-07-11

申请号：TW105124388

申请日：2016-08-02

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  梅特羅 雷傑 H. ,  MATERO, RAIJA H. ,  凡 艾琳娜 ,  FARM, ELINA ,  布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E.

IPC: C23C16/30

公开(公告)号：TWI697577B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW105136356

申请日：2016-11-09

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鈴木 俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TW202018121A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108135694

申请日：2019-10-02

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI ,  財津優 ,  ZAITSU, MASARU

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02

Abstract: 一種在具有凹槽圖案之基板上形成碳化矽膜的方法，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高，該方法包括(i)以脈衝形式向置放有該基板之反應空間中供應有機矽烷前驅物，該前驅物具有式RSiH3，其中R為包括至少一個不飽和鍵之含烴部分；(ii)向該反應空間中連續供應電漿產生性氣體，該電漿產生性氣體選自由惰性氣體及氫化物氣體組成之群；(iii)向該反應空間連續施加RF功率以產生電漿，該電漿激發該前驅物；及(iv)重複步驟(i)至(iii)，藉此在該基板上形成碳化矽膜，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高。

Abstract in simplified Chinese: 一种在具有凹槽图案之基板上形成碳化硅膜的方法，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高，该方法包括(i)以脉冲形式向置放有该基板之反应空间中供应有机硅烷前驱物，该前驱物具有式RSiH3，其中R为包括至少一个不饱和键之含烃部分；(ii)向该反应空间中连续供应等离子产生性气体，该等离子产生性气体选自由惰性气体及氢化物气体组成之群；(iii)向该反应空间连续施加RF功率以产生等离子，该等离子激发该前驱物；及(iv)重复步骤(i)至(iii)，借此在该基板上形成碳化硅膜，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高。

公开(公告)号：TW202008458A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108124035

申请日：2019-07-09

Applicant: 荷蘭商ASM IP 控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 佛沃特 雷奈 亨利克斯 約瑟夫 ,  VERVUURT, RENE HENRICUS JOZEF ,  小林伸好 ,  KOBAYASHI, NOBUYOSHI ,  堤隆嘉 ,  TSUTSUMI, TAKAYOSHI ,  堀勝 ,  HORI, MASARU

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/76

Abstract: 一種蝕刻製程，其包括預清洗製程以去除介電質材料的表面氧化物。可在蝕刻製程之前藉由熱反應和/或電漿製程來執行氧化物的去除。在一些實施例中，氧化物的去除增加了蝕刻製程的控制和再現性，並可提高對於氧化物的選擇性。

Abstract in simplified Chinese: 一种蚀刻制程，其包括预清洗制程以去除介电质材料的表面氧化物。可在蚀刻制程之前借由热反应和/或等离子制程来运行氧化物的去除。在一些实施例中，氧化物的去除增加了蚀刻制程的控制和再现性，并可提高对于氧化物的选择性。

公开(公告)号：TW202004994A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108141711

申请日：2016-02-02

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 尼斯卡嫩 安提 具哈尼 ,  NISKANEN, ANTTI JUHANI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

Abstract: 自銅表面移除保護膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的溫度下將保護膜暴露至汽相有機反應物。在某些實施例中，保護膜可藉由將銅表面暴露至苯並三唑而已形成，例如可在化學機械平坦化製程期間發生。可執行所述方法作為用於積體電路製作的製程的一部分。可相對於基板的另一表面而選擇性地在經清潔的銅表面上沈積第二材料。

Abstract in simplified Chinese: 自铜表面移除保护膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的温度下将保护膜暴露至汽相有机反应物。在某些实施例中，保护膜可借由将铜表面暴露至苯并三唑而已形成，例如可在化学机械平坦化制程期间发生。可运行所述方法作为用于集成电路制作的制程的一部分。可相对于基板的另一表面而选择性地在经清洁的铜表面上沉积第二材料。