公开(公告)号：TWI669996B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW104142382

申请日：2015-12-17

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修 G. ,  GOODMAN, MATTHEW G.

IPC: H05K3/00

公开(公告)号：TW201700781A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105101795

申请日：2016-01-21

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  希爾 艾瑞克 R. ,  HILL, ERIC R.

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719

Abstract: 一種用於自基板之表面去除氧化物材料之系統可包括用以收納基板之基板托盤，及用以收納基板托盤之冷卻體。系統可包括：第一溫度控制元件，其經組態以控制基板托盤之溫度，及第二溫度控制元件，其經組態以控制冷卻體之溫度，第一及第二溫度控制元件可經獨立地控制。一種用於自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加熱元件之基板托盤上提供基板；藉由將熱自基板托盤傳遞至冷卻體以冷卻基板；在基板在冷卻體上時將含有鹵素之材料沈積於冷卻之基板上；隨後通過藉由將熱自基板托盤傳遞至基板而加熱冷卻之基板以使含有鹵素之材料升華。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于自基板之表面去除氧化物材料之系统可包括用以收纳基板之基板托盘，及用以收纳基板托盘之冷却体。系统可包括：第一温度控件，其经组态以控制基板托盘之温度，及第二温度控件，其经组态以控制冷却体之温度，第一及第二温度控件可经独立地控制。一种用于自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加热组件之基板托盘上提供基板；借由将热自基板托盘传递至冷却体以冷却基板；在基板在冷却体上时将含有卤素之材料沉积于冷却之基板上；随后通过借由将热自基板托盘传递至基板而加热冷却之基板以使含有卤素之材料升华。

公开(公告)号：TWI687541B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW105101795

申请日：2016-01-21

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  希爾 艾瑞克 R. ,  HILL, ERIC R.

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TW201635874A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104142382

申请日：2015-12-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修 G. ,  GOODMAN, MATTHEW G.

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B05D3/002 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0433 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/306

Abstract: 在一些實施例中，一種用於積體電路製造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括矽及鍺。移除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積於含氧化矽的表面上，且昇華所述含鹵素的預清潔材料之一部分以暴露所述表面上之矽。將鈍化膜沉積於暴露矽上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止矽表面受來自稍後昇華之化學物質污染，其中稍後昇華可在高於較早昇華之溫度下。隨後，使所述含鹵素的預清潔材料之剩餘部分及所述鈍化膜昇華。隨後可將諸如導電材料之目標材料沉積於基板表面上。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，一种用于集成电路制造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括硅及锗。移除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积于含氧化硅的表面上，且升华所述含卤素的预清洁材料之一部分以暴露所述表面上之硅。将钝化膜沉积于暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华之化学物质污染，其中稍后升华可在高于较早升华之温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料之剩余部分及所述钝化膜升华。随后可将诸如导电材料之目标材料沉积于基板表面上。

公开(公告)号：TW201724394A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105117112

申请日：2016-06-01

Applicant: ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 托爾 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  希爾 埃里克 ,  HILL, ERIC

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C14/021 ,  C23C14/50 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H05B3/26 ,  H05B6/105

Abstract: 本發明提供了一種反應器系統及相關方法，其包括晶片托盤中的加熱元件。加熱元件用於加熱晶片托盤及位於反應槽室組件內的晶片托盤上的基板或晶片，以及用於引起晶片的自然氧化物之昇華。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种反应器系统及相关方法，其包括芯片托盘中的加热组件。加热组件用于加热芯片托盘及位于反应槽室组件内的芯片托盘上的基板或芯片，以及用于引起芯片的自然氧化物之升华。

公开(公告)号：TW201537638A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW104108394

申请日：2015-03-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  凡 羅伯特 麥克 ,  VYNE, ROBERT MICHAEL ,  希爾 艾瑞克R ,  HILL, ERIC R.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02049 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0014 ,  B08B7/0071 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

Abstract: 積體電路的製造方法可以包含以預清潔製程移除氧化矽。預清潔製程可以包含於第一反應室中在基底的表面上沉積含鹵素材料，並將具有含鹵素材料的基底傳送到第二反應室。氧化矽材料在第二反應室中可以藉由昇華含鹵素材料而從基底的表面移除。目標材料(如傳導性材料)可在第二反應室中隨後沉積到基底表面上。

Abstract in simplified Chinese: 集成电路的制造方法可以包含以预清洁制程移除氧化硅。预清洁制程可以包含于第一反应室中在基底的表面上沉积含卤素材料，并将具有含卤素材料的基底发送到第二反应室。氧化硅材料在第二反应室中可以借由升华含卤素材料而从基底的表面移除。目标材料(如传导性材料)可在第二反应室中随后沉积到基底表面上。

公开(公告)号：TWI575572B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW103123725

申请日：2014-07-10

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN ,  塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  梅塔 桑迪普 ,  MEHTA, SANDEEP

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

公开(公告)号：TWI641046B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW104108394

申请日：2015-03-17

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  凡 羅伯特 麥克 ,  VYNE, ROBERT MICHAEL ,  希爾 艾瑞克R ,  HILL, ERIC R.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67

公开(公告)号：TW201503240A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW103123725

申请日：2014-07-10

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN ,  塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  梅塔 桑迪普 ,  MEHTA, SANDEEP

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: 本發明揭示一種併入電摻質的半導體材料的形成方法。在一態樣中，在半導體膜中併入摻質的方法包括形成併入第一摻質濃度的摻質的第一半導體材料及優先蝕刻所述第一半導體材料的部分，其中所述蝕刻餘留第一蝕刻半導體材料，第一蝕刻半導體材料併入高於所述第一摻質濃度的第二摻質濃度的摻質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种并入电掺质的半导体材料的形成方法。在一态样中，在半导体膜中并入掺质的方法包括形成并入第一掺质浓度的掺质的第一半导体材料及优先蚀刻所述第一半导体材料的部分，其中所述蚀刻余留第一蚀刻半导体材料，第一蚀刻半导体材料并入高于所述第一掺质浓度的第二掺质浓度的掺质。