高压元件的周边
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1414627A

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN02143331.3

    申请日:2002-09-25

    CPC classification number: H01L21/76264 H01L21/76286 H01L29/404

    Abstract: 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法,特征在于:侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开,并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板,所述板与周边区电接触,所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸,超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。

    形成器件图案的方法
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104714364B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201410681509.7

    申请日:2014-11-24

    Abstract: 本发明的实施例提供一种形成器件图案的方法。该方法包括:定义要在器件层中创建的器件图案;在器件层上形成牺牲层;识别压印模具,该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状;将压印模具均匀地推挤到牺牲层中,直至压印模具的至少所述位置到达正在由压印模具推挤的牺牲层内的一水平面;将压印模具从牺牲层移除;在由压印模具在牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模,硬掩模具有代表器件图案的图案;以及将硬掩模的图案转移到下面的器件层中。

    具有保护电路的电子装置

    公开(公告)号:CN102474094B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN200980160740.9

    申请日:2009-08-06

    CPC classification number: H01L27/0285 H03K19/00315

    Abstract: 一种电子装置(40),包括:应用电路(42);具有第一电势的第一供应线路(44);具有不同于所述第一电势的第二电势的第二供应线路(46);具有第三电势并连接至所述应用电路的至少一个端子(48);以及用于保护所述应用电路免受注入电流影响的保护电路(50);所述保护电路包括:连接在所述至少一个端子和所述第一供应线路之间的第一导线(52),所述第一导线包括具有第一控制输入(56)的第一开关(54);以及具有连接至所述至少一个端子的第一输入(60)、连接至所述第二供应线路的第二输入(62)、以及连接至所述第一控制输入的第一输出(64)的第一电压放大器电路(58)。

    用于快速执行子像素内插的方法和系统

    公开(公告)号:CN1835585B

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN200510121765.1

    申请日:2005-12-21

    CPC classification number: H04N19/523 H04N19/43 H04N19/436

    Abstract: 一种子像素内插器包括可存储由全像素形成的视频信息的输入存储器。该子像素内插器还包括至少一个可执行子像素内插以并行地产生半像素和四分之一像素的内插单元。多个半像素和多个四分之一像素在子像素内插期间同时产生。另外,该子像素内插器包括可存储全像素、半像素和四分之一像素中的至少一些的输出存储器。在一些实施方式中,至少一个内插单元包括水平半像素内插单元、两个垂直半像素内插单元和四分之一像素内插单元,所有这些单元可以并行地操作。在特定的实施方式中,该内插单元由加法器和移位器形成,而且不包括任何乘法器。

    具有单端输入的高速、高分辨率和低功耗的模/数转换器

    公开(公告)号:CN1526202B

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN02813948.8

    申请日:2002-06-13

    CPC classification number: H03M1/0682 H03M1/468 H03M1/804

    Abstract: 以二进制编码加权的采样电容的第一阵列(10A′)的电容被连接在第一共同电路节点(NB+)和将要充电到相对于将要被转换信号的地(Gnd)的电压(Vin)的输入端子之间,并且根据BAR技术其被有选择地与两个差分参考端子(Vrefp,Vrefm)连接。同时,等于第一阵列并且全部与第二节点(NB-)相连的第二阵列(10B′)的电容被有选择地连接到地(Gnd)和较低差分电压端子(Vrefm)。两个节点被连接到比较器(23″)的各自输入。逻辑单元(17″)根据预定定时程序来控制两个阵列的电容的连接,并且作为比较器(23″)的输出的功能。虽然转换器是单端输入的,但它的行为类似于具有差分输入的转换器20,并且因此它对噪声具有很好的抗扰度。而且,它不需要另外的电容或特别灵敏的比较器。因此,它的特征在于低功耗和高速度,并且占据一个其作为一部分的集成电路的很小面积。

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