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公开(公告)号：CN1414627A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02143331.3
申请日：2002-09-25
Applicant: ST微电子公司
Inventor： 帕斯卡·迦德斯
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L21/76286 , H01L29/404
Abstract: 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于：侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。
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公开(公告)号：CN1250948A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN99120591.X
申请日：1999-10-09
Applicant: ST微电子公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8247 , H01L27/04 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11539 , H01L27/11546
Abstract: 该制造方法,包括步骤:在硅衬底生长第1栅氧化层;在该层淀积第1多晶硅层;选择蚀刻和除去第1多晶层,以限定浮置栅极;掺入掺杂剂以获得单元的源区和漏区;淀积介质层;选择蚀刻和除去待形成晶体管的区域中介质层和第1多晶层;沉积第2多晶硅层;以及选择蚀刻和除去该第2多晶层,以限定晶体管的栅极和单元的控制栅极。在第6与第7步骤间有除去晶体管区域中第1栅氧化层的第1子步骤;及在该区域生长第2栅氧化层的第2子步骤,第2第1栅氧化层不同。
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公开(公告)号：CN104714364B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201410681509.7
申请日：2014-11-24
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成器件图案的方法。该方法包括：定义要在器件层中创建的器件图案；在器件层上形成牺牲层；识别压印模具，该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状；将压印模具均匀地推挤到牺牲层中，直至压印模具的至少所述位置到达正在由压印模具推挤的牺牲层内的一水平面；将压印模具从牺牲层移除；在由压印模具在牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模，硬掩模具有代表器件图案的图案；以及将硬掩模的图案转移到下面的器件层中。
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公开(公告)号：CN102474094B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980160740.9
申请日：2009-08-06
IPC: H02H7/20
CPC classification number: H01L27/0285 , H03K19/00315
Abstract: 一种电子装置(40)，包括：应用电路(42)；具有第一电势的第一供应线路(44)；具有不同于所述第一电势的第二电势的第二供应线路(46)；具有第三电势并连接至所述应用电路的至少一个端子(48)；以及用于保护所述应用电路免受注入电流影响的保护电路(50)；所述保护电路包括：连接在所述至少一个端子和所述第一供应线路之间的第一导线(52)，所述第一导线包括具有第一控制输入(56)的第一开关(54)；以及具有连接至所述至少一个端子的第一输入(60)、连接至所述第二供应线路的第二输入(62)、以及连接至所述第一控制输入的第一输出(64)的第一电压放大器电路(58)。
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公开(公告)号：CN1835585B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200510121765.1
申请日：2005-12-21
Applicant: ST微电子公司
Inventor： 菲利普·P.·党
CPC classification number: H04N19/523 , H04N19/43 , H04N19/436
Abstract: 一种子像素内插器包括可存储由全像素形成的视频信息的输入存储器。该子像素内插器还包括至少一个可执行子像素内插以并行地产生半像素和四分之一像素的内插单元。多个半像素和多个四分之一像素在子像素内插期间同时产生。另外，该子像素内插器包括可存储全像素、半像素和四分之一像素中的至少一些的输出存储器。在一些实施方式中，至少一个内插单元包括水平半像素内插单元、两个垂直半像素内插单元和四分之一像素内插单元，所有这些单元可以并行地操作。在特定的实施方式中，该内插单元由加法器和移位器形成，而且不包括任何乘法器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154731B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610171856.0
申请日：2006-09-28
Applicant: ST微电子公司
CPC classification number: H01M8/04171 , B82Y30/00 , H01M4/8657 , H01M8/04067 , H01M8/04291 , H01M8/1097 , H01M2004/8689
Abstract: 一种覆盖有亲水聚合物层的燃料电池单元。
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公开(公告)号：CN1526202B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN02813948.8
申请日：2002-06-13
Applicant: ST微电子公司
Inventor： 皮耶兰杰罗·孔法洛涅里 , 马尔科·赞普罗尼奥 , 安杰洛·纳加里
IPC: H03M1/06
CPC classification number: H03M1/0682 , H03M1/468 , H03M1/804
Abstract: 以二进制编码加权的采样电容的第一阵列(10A′)的电容被连接在第一共同电路节点(NB+)和将要充电到相对于将要被转换信号的地(Gnd)的电压(Vin)的输入端子之间，并且根据BAR技术其被有选择地与两个差分参考端子(Vrefp，Vrefm)连接。同时，等于第一阵列并且全部与第二节点(NB-)相连的第二阵列(10B′)的电容被有选择地连接到地(Gnd)和较低差分电压端子(Vrefm)。两个节点被连接到比较器(23″)的各自输入。逻辑单元(17″)根据预定定时程序来控制两个阵列的电容的连接，并且作为比较器(23″)的输出的功能。虽然转换器是单端输入的，但它的行为类似于具有差分输入的转换器20，并且因此它对噪声具有很好的抗扰度。而且，它不需要另外的电容或特别灵敏的比较器。因此，它的特征在于低功耗和高速度，并且占据一个其作为一部分的集成电路的很小面积。
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公开(公告)号：CN100508418C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03142701.4
申请日：2003-06-06
Applicant: ST微电子公司
Inventor： 吉恩-皮埃尔·昂吉恩特
CPC classification number: G06K7/0008 , H03D5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于解调电磁感应器所传送信号的方法和电路，包括变量传感器，该变量是感应器对振荡电路所形成负载的函数、相位解调器和幅度解调器，两者至少在功能上平行并接收来自所述传感器的信号、由所述解调器提供结果的加法器、和与所述解调器的第一个串联的延迟元件，用于补偿两个解调器之间可能的传播时间差。
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公开(公告)号：CN101443835A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780016836.9
申请日：2007-03-06
Inventor： 保罗·理查德·劳特利 , 奥利弗·勒-布里兹
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3216 , G09G3/2081 , G09G3/3266 , G09G2310/0208 , G09G2320/029 , G09G2320/043
Abstract: 本发明涉及用于驱动有机发光二极管(OLED)显示器的系统、方法和装置，具体为使用多行寻址(MLA)技术的系统、方法和装置。本发明的实施例尤其适于和所谓的无源矩阵OLED显示器一同使用。一种用于电致发光显示器的电流驱动系统，该系统包括：多个电流镜，具有用于驱动所述显示器的多个驱动电极的输出，其中每个所述电流镜具有参考信号输入；以及自动选择器，耦合至所述电流镜输出，以自动选择用于向所述电流镜提供参考信号输入的所述输出。
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公开(公告)号：CN100492667C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510121579.8
申请日：2005-12-23
Applicant: ST微电子公司
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/872
Abstract: 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。
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