公开(公告)号：CN114496954A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110659197.X

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.朴 ,  孙吉焕 ,  徐训硕 ,  任廷爀 ,  金基一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。

公开(公告)号：CN109830479B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201811405041.3

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。

公开(公告)号：CN109830479A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811405041.3

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。

公开(公告)号：CN109801912A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811358190.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  黄国泰 ,  金完敦 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，栅极结构在垂直于第一方向并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区之一，第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞以及围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。

公开(公告)号：CN106486380A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610720187.1

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  李相烨 ,  李钟汉 ,  任廷爀 ,  洪慧理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。