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公开(公告)号:CN108242510A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711391838.8
申请日:2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5237
Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜,其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。
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公开(公告)号:CN107403867A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201710037428.7
申请日:2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/447 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5056 , Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L27/14643 , H01L51/0032 , H01L51/44
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间,且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p-n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV-约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。
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公开(公告)号:CN105712993A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201510958624.9
申请日:2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示,所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层,并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中,A、R1-R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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