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公开(公告)号：CN101106171B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610164041.X
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。
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公开(公告)号：CN101714403A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204907.9
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/06 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G11C13/0069
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。
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公开(公告)号：CN101192648A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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公开(公告)号：CN1913169A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114928.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。该非易失性存储装置包括开关装置和连接到该开关装置的存储节点。该存储节点包括下电极、数据存储层和上电极。该数据存储层包括在第一电压下形成电流路径的第一区和环绕该第一区的第二区，其中在高于第一电压的第二电压下在该第二区内形成电流路径。该第一区置成接触该上电极和该下电极。
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公开(公告)号：CN1815770A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103914177B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN102759400B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
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公开(公告)号：CN102997993B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210186006.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103
Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
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公开(公告)号：CN101882620B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201010170126.5
申请日：2010-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C5/025 , G11C5/02 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 一种堆叠存储器件可以包括：衬底；依次堆叠在该衬底上的多个存储器组，每个存储器组包括至少一个存储器层；多个X译码器层，该多个X译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间；和与该多个X译码器层交替布置的多个Y译码器层，该多个Y译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
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公开(公告)号：CN101055917B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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