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公开(公告)号：CN115411070A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210586999.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和显示设备。传感器嵌入式显示面板包括：基板、在所述基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上且包括沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行的光电转换层的光电传感器，其中所述发光元件和所述光电传感器各自包括第一公共辅助层的单独部分和公共电极的单独部分，所述第一公共辅助层为在所述发光层和所述光电转换层上连续延伸的单块材料，所述公共电极在所述第一公共辅助层上且配置为将公共电压施加至所述发光元件和所述光电传感器二者，并且所述光电转换层包括从所述第一公共辅助层起的第一n型半导体层、第二n型半导体层、和p型半导体层的顺序堆叠体。
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公开(公告)号：CN115241231A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210429808.6
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 公开光吸收传感器、嵌入有传感器的显示面板和电子设备。所述嵌入有传感器的显示面板包括：基板、在所述基板上并且包括光发射层的光发射元件、和在所述基板上并且包括光吸收层的光吸收传感器，所述光吸收层沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行地布置。所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、或其任意组合的光。所述光发射层包括第一有机材料并且所述光吸收层包括第二有机材料。所述第一和第二有机材料的相应升华温度之间的差值小于或等于约150℃，其中各升华温度为在约10Pa或更小的环境压力下的热重分析期间发生相对于初始重量的10％的重量减小时的温度。
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公开(公告)号：CN113284914A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110119680.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本公开提供了图像传感器和电子装置。一种图像传感器可以包括：第一光感测器件，在半导体基板上并配置为感测第一波长谱的光；以及第二光感测器件和第三光感测器件，被集成在半导体基板中并配置为分别感测第二波长谱的光和第三波长谱的光。第一光感测器件可以在半导体基板的厚度方向上与第二光感测器件和第三光感测器件中的每个重叠。第二光感测器件和第三光感测器件在该厚度方向上不重叠，并且每个具有上表面、下表面以及在上表面与下表面之间的掺杂区。第三光感测器件包括比第二光感测器件的上表面距半导体基板的上表面更深的上表面以及比第二光感测器件的掺杂区厚的掺杂区。图像传感器可以省略第一光感测器件。
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公开(公告)号：CN111192961A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911017125.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括：面向彼此的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换成电信号的光电转换层；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金的无机纳米层。有机CMOS图像传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机CMOS图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009158B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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公开(公告)号：CN105566286A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510740633.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/36 , H01L51/46 , H01L27/30
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D333/36 , C09B47/00 , C09B57/008 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0074 , H01L51/008 , H01L51/4253 , H01L51/4293 , H01L51/447 , H01L2251/308
Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示，其中Ar1、Ar2、R1-R4、Ra、p、n和m如说明书中所定义的，所述有机光电器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层。
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公开(公告)号：CN105261702A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510122544.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L25/167 , H01L27/30 , H01L27/302 , H01L33/06 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
Abstract: 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN104009158A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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公开(公告)号：CN119907323A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411098926.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/12
Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体基板，其中集成有多个光敏器件；频带滤波器阵列，包括多个频带滤波器，其中，多个频带滤波器中的每个频带滤波器被配置为使入射光中的包括在特定波段中的光发生谐振，并且朝向半导体基板输出谐振光；有源层，在半导体基板和频带滤波器阵列之间，并且被配置为使用从频带滤波器阵列接收的谐振光生成激子；以及中间层，在有源层和半导体基板之间，并且被配置为将谐振光或激子中的至少一种传输到半导体基板。
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