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公开(公告)号：CN1980075A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610128982.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
Abstract: 本发明公开了一种双工器，该双工器防止发射机滤波器和接收机滤波器之间的效应。该双工器包括：基底；发射机滤波器，制造在基底的表面上的预定第一区域中；接收机滤波器，制造在基底的表面上的预定第二区域中；气腔，通过刻蚀基底制造在预定第一区域和预定第二区域之间的区域中，以将发射机滤波器和接收机滤波器彼此隔离。将气腔垂直于发射机滤波器和接收机滤波器设置的方向制造在基底中。因此，可有效地截断元件之间的物理效应。
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公开(公告)号：CN112768436B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010434773.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。
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公开(公告)号：CN112993022B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202011144164.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。
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公开(公告)号：CN112768436A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010434773.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086456A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010141333.1
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L49/02
Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。
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公开(公告)号：CN102751180B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110309006.3
申请日：2011-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L41/113 , H01L41/311 , H01L41/319 , H01L33/24
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/24 , H01L41/1132 , H01L41/319
Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。
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公开(公告)号：CN112086456B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202010141333.1
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。
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公开(公告)号：CN118354661A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410045493.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器、制备其的方法和包括其的电子器件，所述电容器包括下部电极、与所述下部电极间隔开的上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质、在所述下部电极和所述电介质之间的第一层、以及在所述电介质和所述上部电极之间的第二层，其中所述电介质包括具有金红石相的TiO2并且掺杂有镁，所述第一层包括具有比包括在所述下部电极中的材料的功函数高的功函数的材料，并且所述第二层包括电介质保护材料。
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公开(公告)号：CN113675176B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110047413.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：#imgabs0#其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
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