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公开(公告)号：CN120076709A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411154972.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器、制造其的方法和包括其的电子器件。电容器包括：第一电极；设置成面向所述第一电极的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；以及设置在所述第一电极和所述介电层之间的导电界面层。所述导电界面层包括设置在所述第一电极和所述介电层之间的第一导电界面层、以及设置在所述第一导电界面层和所述介电层之间的第二导电界面层。所述介电层包括金红石相介电材料。所述第一导电界面层包括具有处于金红石相的稳定的晶体结构的导电金属氧化物材料。在所述第二导电界面层和所述介电层之间的导带偏移大于在所述第一导电界面层和所述介电层之间的导带偏移。
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公开(公告)号：CN114824065A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111560133.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054099B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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公开(公告)号：CN118354661A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410045493.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器、制备其的方法和包括其的电子器件，所述电容器包括下部电极、与所述下部电极间隔开的上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质、在所述下部电极和所述电介质之间的第一层、以及在所述电介质和所述上部电极之间的第二层，其中所述电介质包括具有金红石相的TiO2并且掺杂有镁，所述第一层包括具有比包括在所述下部电极中的材料的功函数高的功函数的材料，并且所述第二层包括电介质保护材料。
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公开(公告)号：CN117219623A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310685942.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器、包括其的电子器件及制备所述电容器的方法。可提供电容器，其包括：第一薄膜电极层、第二薄膜电极层、在第一和第二薄膜电极层之间的电介质层、以及在第一薄膜电极层和电介质层之间和/或在第二薄膜电极层和电介质层之间的第一中间层。第一中间层包括第一金属氧化物，第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物，第二金属氧化物包括非贵金属，电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物，且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成，第一金属氧化物包括GeO2，第三金属氧化物包括TiO2，且第一中间层的厚度小于电介质层的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113054100B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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