公开(公告)号：CN115621229A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210751816.2

申请日：2022-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：绝缘层，所述绝缘层位于衬底上；通路，所述通路从衬底内延伸并且延伸穿过所述衬底的一个面和在所述绝缘层中限定的沟槽的底面，使得所述通路的侧壁的一部分和顶面通过所述衬底暴露；以及焊盘，所述焊盘接触所述通路的所述侧壁的被暴露的所述一部分和所述顶面。所述焊盘填充所述沟槽。所述绝缘层包括位于所述衬底上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。在所述钝化层和所述保护层之间不存在蚀刻停止层。所述沟槽的底面的垂直高度高于所述衬底的一个面的垂直高度并且低于所述钝化层的顶面的垂直高度。

公开(公告)号：CN110858549A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910345056.3

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一焕 ,  姜芸炳 ,  李忠善

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以覆盖半导体芯片的至少一个表面。

公开(公告)号：CN110349988A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910052800.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金容一 ,  成汉珪 ,  延智慧 ,  李忠善 ,  黄智焕

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。

公开(公告)号：CN102646668B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201110454330.4

申请日：2011-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  李忠善

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了具有基板穿孔的中间体的半导体封装及其制造方法，该半导体封装通过包括具有基板穿孔(TSV)的中间体而具有减小的尺寸，该半导体封装可以包括下半导体封装，该下半导体封装包括下基底基板、在下基底基板上具有TSV的中间体以及在中间体上并电连接到中间体的下半导体芯片。半导体封装可以包括在下半导体封装上的上半导体封装，该上半导体封装包括上半导体芯片和在中间体上并将上半导体封装电连接到中间体的封装连接件。可以设置外部模制件。

公开(公告)号：CN102456663B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110309782.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世泳 ,  宋昊建 ,  李忠善 ,  李镐珍

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。

公开(公告)号：CN102569208A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110459218.X

申请日：2011-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔银景 ,  郑世泳 ,  崔光喆 ,  闵台洪 ,  李忠善 ,  金晶焕

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。

公开(公告)号：CN101325167B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810144670.5

申请日：2008-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  权容焕 ,  李忠善 ,  权云星 ,  张衡善

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。

公开(公告)号：CN100527398C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510064958.8

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容焕 ,  李忠善 ,  姜思尹

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和制造该器件的方法，该器件使用凸点结构，其包括多个第一方向上沿衬底排列的凸点结构。每个凸点结构在第一方向上具有的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距，且至少一个凸点结构具有面对第一方向的非导电侧壁。

公开(公告)号：CN116031228A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210989663.5

申请日：2022-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙荣 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  朴点龙 ,  李忠善

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00 ,  H01L25/065

Abstract: 半导体器件可以包括：衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中，第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻，而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。

公开(公告)号：CN115763422A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211057385.6

申请日：2022-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴点龙 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  宋乺智 ,  李忠善

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供了半导体器件、半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，其具有第一衬底、位于第一衬底上的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的多个第一接合焊盘，并且具有由第一绝缘层的上表面和多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的上表面；以及第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片的上表面，并且具有第二衬底、位于第二衬底下方并且与第一绝缘层接触的第二绝缘层和位于第二绝缘层上并且分别与第一接合焊盘接触的多个第二接合焊盘，其中，第一绝缘层包括与第二绝缘层接触、嵌入在第一绝缘层中并且与多个第一接合焊盘间隔开的绝缘界面层。