公开(公告)号：CN115968207A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210843635.2

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东俊 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  李忠善 ,  黄贤洙

IPC: H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN115831697A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211025582.X

申请日：2022-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤洙 ,  具秀炫 ,  权俊润 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种干蚀刻装置、使用其的晶片蚀刻系统和干蚀刻方法。该干蚀刻装置包括：等离子体工艺腔室；边缘环，该边缘环布置在等离子体工艺腔室中并且晶片安装在该边缘环上；遮蔽环，在晶片的等离子体蚀刻工艺期间定位成在边缘环上方以第一垂直距离间隔开；操作单元，联接到遮蔽环并具有升高和降低遮蔽环的升降销；具有多个固定销的固定部分，该多个固定销在不同的位置处与升降销接合以固定遮蔽环的降低点；以及距离控制单元，控制固定部分以确定第一垂直距离，其中第一垂直距离由晶片和边缘环之间的第一水平距离确定。

公开(公告)号：CN114068462A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110864235.5

申请日：2021-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括重分布衬底，其包括电介质层中的重分布线图案；以及半导体芯片，其位于重分布衬底上。半导体芯片包括芯片焊盘，其电连接至重分布线图案。重分布线图案中的每一个具有基本上共面的顶表面和非共面的底表面。重分布线图案中的每一个包括中心部分和位于中心部分的相对侧上的边缘部分。重分布线图案中的每一个在中心部分处具有作为最小厚度的第一厚度，并且在边缘部分处作为最大厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN113571495A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110401809.5

申请日：2021-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  李忠善 ,  郑泰和 ,  秦正起

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。互连结构包括介电层和介电层中的布线图案。布线图案包括过孔主体、与过孔主体竖直地重叠的第一焊盘主体以及从第一焊盘主体延伸的线主体。过孔主体、第一焊盘主体和线主体彼此一体地连接，并且第一焊盘主体的底表面的水平低于线主体的底表面的水平。

公开(公告)号：CN106165074A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077277.2

申请日：2014-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  孙俊植 ,  安庭奭 ,  李忠善 ,  赵泰济

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/304

Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。根据所述方法，可以在载体和装置晶片之间顺序地设置第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层。所有第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层可以由热固性树脂形成。

公开(公告)号：CN102573279A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110365144.3

申请日：2011-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  李忠善 ,  赵泰济

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20 ,  H05K9/00 ,  H05K3/30

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括封装盖，该封装盖能够辐射高温并起到防止电磁波传输到半导体封装中和/或从半导体封装传输到外面的屏蔽功能。包括封装盖的半导体封装防止了芯片故障并改善了器件可靠性。封装盖设置为覆盖半导体封装的第一和第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN115881632A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211097137.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊润 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  黄贤洙

IPC: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括：在晶片上形成掩模层，所述晶片包括半导体衬底和绝缘层；通过执行第一激光开槽工艺在所述半导体衬底中形成凹槽；通过执行第二激光开槽工艺来扩展由所述第一激光开槽工艺打开的所述掩模层的开口；通过去除所述掩模层的一部分来暴露所述绝缘层的一部分；以及通过执行切割工艺切割所述半导体衬底，同时去除在所述暴露期间所暴露的所述绝缘层的所述一部分。

公开(公告)号：CN106165074B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201480077277.2

申请日：2014-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  孙俊植 ,  安庭奭 ,  李忠善 ,  赵泰济

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/304

Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。根据所述方法，可以在载体和装置晶片之间顺序地设置第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层。所有第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层可以由热固性树脂形成。

公开(公告)号：CN101355069A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810161102.6

申请日：2008-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张衡善 ,  姜芸炳 ,  权云星 ,  权容载 ,  李忠善 ,  李东镐

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。

公开(公告)号：CN101325167A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810144670.5

申请日：2008-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  权容焕 ,  李忠善 ,  权云星 ,  张衡善

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成扩散阻挡层，和在衬底上形成至少两个部件，从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质，衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质，所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区，所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区，从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。