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公开(公告)号：CN108133934A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810063223.0
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L21/764
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。
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公开(公告)号：CN103633127B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310345516.5
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。
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公开(公告)号：CN107871740A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710886543.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
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公开(公告)号：CN102982844B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210551887.4
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN104425021A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410339949.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同的配置将第一线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101458954B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
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公开(公告)号：CN101430933B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200810177840.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明的快闪存储器件被配置用来对每单位单元中多个比特编程，其中依据被选中进行编程的比特的最在前的比特的编程是否被跳过来设置被选中比特的编程条件。结果，即使在中间比特的编程被跳过时，也可以准确地进行编程和读取操作。
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公开(公告)号：CN101742769A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910178884.9
申请日：2009-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05B37/02 , G02F1/1333
CPC classification number: H05B33/0869 , G09G3/3406
Abstract: 本发明的多个实施例披露了一种发光二极管(LED)的驱动方法、用于执行该方法的背光组件、以及具有该背光组件的显示装置。例如，背光组件包括光源单元和光源控制器。光源单元包括分别生成红色光、绿色光、和蓝色光的红色、绿色、和蓝色LED。光源控制器分别检测红色光、绿色光、和蓝色光的量，以对红色光、绿色光、和蓝色光的实际光量比率与参考光量比率进行比较。当实际光量比率与参考光量比率不相等时，光源控制器分别控制红色、绿色、和蓝色LED，使得实际光量比率变得与参考光量比率基本上相等。
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公开(公告)号：CN101325089A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125981.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件的读取方法，包括：从存储指示初始阈电压的信息的阈电压信息单元中读取索引单元的初始阈电压值；从所述索引单元确定当前阈电压值；以及将所述初始阈电压值与所述当前阈电压值进行比较以计算所述索引单元的偏移阈电压电平。利用偏移阈电压电平改变读取电压，以使用改变的读取电压读取用户数据。
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公开(公告)号：CN1282551C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03152605.5
申请日：2003-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李承宰
IPC: B41J13/02
CPC classification number: B41J11/06
Abstract: 本发明公开了一种用于喷墨打印机的导纸件及具有该导纸件的喷墨打印机。用于喷墨打印机的导纸件包括：多个第一导纸肋，它们在导纸件上凸起朝向打印头的前半幅区，彼此之间具有预定的间隔；和多个第二导纸肋，它们在导纸件上凸起朝向打印头的后半幅区，并且第二导纸肋之间形成的间隔比第一导纸肋之间间隔宽。
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