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公开(公告)号:CN1612300A
公开(公告)日:2005-05-04
申请号:CN200410087995.6
申请日:2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层,所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上,并由含溶质的Zn基材料形成;所述第二层层叠在所述第一层之上,并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
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公开(公告)号:CN110120400B
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN201910109754.3
申请日:2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种有机图像传感器,该有机图像传感器可以配置为获得与被该有机图像传感器吸收的光中的特定波长谱相关的颜色信号,并可以省略滤色器。该有机图像传感器可以包括包含第一材料和第二材料的有机光电转换层。第一材料可以吸收第一波长谱的光,第二材料可以吸收第二波长谱的光。有机光电转换层可以包括堆叠的上层和下层,下层和上层的相应材料组成可以是第一材料和第二材料的第一和第二混合物。第一混合物中第一材料与第二材料的比率可以大于1/1,第二混合物中第一材料与第二材料的比率可以小于1/1。
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公开(公告)号:CN109698211B
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN201811220217.8
申请日:2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G06V10/143 , G06V40/19 , G01J1/04 , G01J1/42 , H10K39/32
Abstract: 公开了组合传感器和电子装置,组合传感器包括:第一红外光传感器,配置为感测红外波长区域内的第一波长的光;以及第二红外光传感器,配置为感测红外波长区域内的不同于第一波长的第二波长的光,其中第一红外光传感器和第二红外光传感器相对于彼此堆叠。
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公开(公告)号:CN106992252B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN201611078238.1
申请日:2016-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子设备。有机光电器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括提供p‑n结的第一材料和第二材料的光电转换层;以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括第三材料的与所述第一电极邻近的夹层,其中所述第一材料和所述第三材料为各自具有约1.7eV‑约2.3eV的能带隙的有机材料,并且提供包括其的图像传感器。
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公开(公告)号:CN107039472B
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN201610948687.0
申请日:2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。电子装置可以包括至少一个图像传感器,该图像传感器包括:多个光感测器件;光电器件,在半导体基板的一侧并配置为选择性地感测第一可见光;以及多个滤色器,分别在相应的光感测器件上。该多个滤色器可以包括:第一滤色器,配置为选择性地透射不同于第一可见光的第二可见光;和第二滤色器,透射包括第二可见光的第一混合光。该电子装置可以包括多个滤色器单元阵列。该电子装置可以包括在不同的滤色器单元阵列上的不同光电器件。不同的光电器件可以配置为感测不同波长谱的光。
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公开(公告)号:CN107018294B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201610860226.8
申请日:2016-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/225 , H01L27/146 , G02B5/20 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供一种电子装置,该电子装置包括:透镜;与透镜的光轴非对称的滤光器;和包括可见光图像传感器和非可见光图像传感器的图像传感器。滤光器具有开口并且被配置为透射可见光并且阻挡至少一种非可见光。可见光图像传感器被配置为感测可见光,非可见光图像传感器被配置为感测所述至少一种非可见光。
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公开(公告)号:CN105566286B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201510740633.0
申请日:2015-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/36 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示,其中Ar1、Ar2、R1‑R4、Ra、p、n和m如说明书中所定义的,所述有机光电器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层。
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公开(公告)号:CN1606177B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200410092115.4
申请日:2004-10-08
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构,其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层,制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触,氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I-V特性,同时由于透明电极的高透光率,有效地增强了器件的发光效率。
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公开(公告)号:CN100365835C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200410103926.X
申请日:2004-12-23
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0095
Abstract: 提供一种倒装片发光二极管(FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积n型覆层、活性层、p型覆层、和反射层而形成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的银合金形成的。根据所提供的FCLED及其制造方法,提高热稳定性来提高p型覆层的电阻性接触特性,因此当封装所提供的FCLED时提高引线接合效率和产量。另外,由于低特定接触电阻和优良的电流电压特性,提高了所提供的FCLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号:CN1638165A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410104923.8
申请日:2004-12-24
Abstract: 提供了一种具有层状结构的氮化物LED,其中依次层叠有基底、n-型覆盖层、活性层、p-型覆盖层和多层欧姆接触层及其制备方法。在该氮化物LED中,多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中,关于p-型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高,因而表现出好的电流-电压特性。而且,由于透明电极有高的透光性能,因而装置的发光效率得到了提高。
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