公开(公告)号：CN104576621B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410550291.1

申请日：2014-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  赵泰济 ,  鲁炳爀

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种芯片堆叠半导体封装件及其制造方法，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件以及电连接到第二连接构件的第一硅通孔(TSV)，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。

公开(公告)号：CN103364099B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310103256.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  朴洁 ,  赵泰济

IPC: G01K7/00 ,  G01K7/16 ,  G01K7/34

CPC classification number: G01K7/34 ,  G01K7/16 ,  G01K7/42

Abstract: 提供一种预测温度的方法，包括将温度预测电路可操作地耦合到包括半导体芯片的设备，确定温度预测电路的电流和电压之间的相关性，以及使用确定的相关性来预测相对于施加到设备的电力的温度。

公开(公告)号：CN106531636A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610801613.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡贤 ,  崔允硕 ,  赵泰济 ,  朴镇右

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了制造半导体芯片封装件和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面的封装基底；将第一半导体芯片设置在封装基底上，所述第一半导体芯片具有面对封装基底的第二表面的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面；设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层；在第一半导体芯片的侧表面外部设置多个穿过模塑导电通路。穿过模塑导电通路可以在形成模塑层之前形成并且可以贯穿模塑层。穿过模塑导电通路可以延伸超过模塑层的第一表面。

公开(公告)号：CN106449525A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610662850.7

申请日：2016-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张根豪 ,  赵泰济 ,  沈锺辅

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体封装件，所述半导体封装件包括封装构件和应力控制层。封装构件包括包封层和至少一个芯片。包封层包封所述至少一个芯片。应力控制层设置在封装构件的表面上。应力控制层具有达到应力控制层防止封装构件具有翘曲的程度的内应力。

公开(公告)号：CN106067430A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610214879.9

申请日：2016-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一焕 ,  裵相泫 ,  李赫宰 ,  赵泰济 ,  崔光喆

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B24B7/228 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67023

Abstract: 发明构思涉及一种基板处理设备、一种用于处理基板的方法和一种基板处理系统。所述设备包括：旋转卡盘，被构造成支撑基板；研磨头，设置在旋转卡盘上方并被构造成研磨由旋转卡盘支撑的基板；以及喷嘴构件，包括喷射喷嘴，所述喷射喷嘴被构造成将高压水喷射到由旋转卡盘支撑的基板。喷射喷嘴与基板叠置以将高压水喷射到基板的边缘。

公开(公告)号：CN105448789A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510589858.0

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴相炫 ,  丁奎东 ,  金一焕 ,  金晶焕 ,  李赫宰 ,  赵泰济

IPC: H01L21/677

CPC classification number: B24B37/32 ,  H01L21/67766

Abstract: 提供一种保持器和包括该保持器的晶圆载具。一种用于晶圆载具的保持器，包括：主体，包括多个槽，所述多个槽被配置为接收晶圆的侧面；针对所述多个槽中的每个槽，支撑结构形成在槽的侧壁上并被配置为与相应晶圆的侧面接触，支撑结构与相应晶圆的侧面的上拐角隔开。

公开(公告)号：CN104637901A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410638228.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汊济 ,  赵泰济 ,  郑显秀

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供了一种具有贯通电极的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括：第一半导体芯片，其包括上面设有第一顶部焊盘的第一有源表面；第二半导体芯片，其包括上面设有第二顶部焊盘的第二有源表面和上面设有第二底部焊盘的第二无源表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上以使得第二有源表面面对第一有源表面；以及导电互连部分，其被配置为将第一半导体芯片电连接至第二半导体芯片，其中，导电互连部分包括：第一贯通电极，其穿通第二半导体芯片，并将第二底部焊盘电连接至第二顶部焊盘；以及第二贯通电极，其穿通第二半导体芯片，穿过第二顶部焊盘的水平面而不接触第二顶部焊盘，并将第二底部焊盘电连接至第一顶部焊盘。

公开(公告)号：CN104241229A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN102479771A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110396465.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  赵泰济 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  郑世泳 ,  姜芸炳 ,  尹玟升

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

公开(公告)号：CN102136486A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010622415.4

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张衡善 ,  权云星 ,  赵泰济 ,  姜芸炳 ,  金晶焕

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片，具有第一表面、第二表面和像素区域；第一粘合图案，设置在第一表面上；第二粘合图案，设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上；多个外部连接端子，设置在第二表面上，其中，第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。