-
公开(公告)号：CN106067449A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610244292.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/367 , H01L24/14 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1432 , H01L23/373
Abstract: 提供了半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件。该半导体封装件包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。
-
公开(公告)号：CN108807333B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810258640.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。
-
公开(公告)号：CN114443412A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111228263.4
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种用于控制集成电路(IC)的温度的设备和方法。例如，设备可以包括电路(例如，IC)、功率监测器、温度传感器和控制器。在一些示例中，可以基于由动态功率监测器(DPM)测量的功率来估计温度。在一些情况下，可以基于由IC上的温度传感器感测的温度来校正所估计的温度。与温度传感器感测温度的时间时段相比，可以在更短的时间时段和/或更频繁的时间时段中测量功率。因此，可以基于功率测量来更频繁地检测和调节IC的温度，并且可以基于感测的温度来调节温度估计以获得准确度。
-
公开(公告)号：CN106449541A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610647582.1
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/4871 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L29/0657 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/10158 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 公开了一种半导体封装件。半导体封装件可以包括：封装基底；半导体芯片，安装在封装基底上以具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；模制层，设置在封装基底上以包封半导体芯片；以及散热层，设置在半导体芯片的顶表面上。模制层可以具有基本上与半导体芯片的顶表面共面的顶表面，半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面可以具有彼此不同的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN102468264A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110374827.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/11001 , H01L2224/13025 , H01L2224/13075 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括第一凸起和第二凸起的凸起结构、一种包括该凸起结构的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。所述凸起结构包括：第一凸起，设置在基底的连接焊盘上，所述第一凸起包括从所述连接焊盘延伸的多条纳米线和连接所述多条纳米线的端部的主体；第二凸起，设置在所述第一凸起的所述主体上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364665A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211693885.9
申请日：2022-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 一种半导体封装包括：第一互连结构；第一半导体芯片，设置在第一互连结构上并且包括多个贯通通路和连接到多个贯通通路的第一焊盘；第二半导体芯片，设置在第一互连结构上，包括电连接到第一焊盘的第二焊盘，并且具有与第一半导体芯片的尺寸不同的尺寸；散热结构，接触并围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个的侧表面，并且包括具有比硅的热导率高的热导率的材料；以及围绕散热结构的侧表面的密封剂。
-
公开(公告)号：CN115084047A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210890179.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：下封装件；以及上封装件，在下封装件上；下封装件包括：下封装基底；下半导体芯片和连接端子，在封装基底上，并且连接端子与下半导体芯片的侧表面间隔开；散热层，在下半导体芯片的顶表面上，散热层与下半导体芯片的顶表面接触；以及下模制层，覆盖下封装基底的顶表面和下半导体芯片的侧表面；上封装件包括：上封装基底；上半导体芯片，在上封装基底上；以及上模制层，覆盖上封装基底的顶表面以及上半导体芯片的顶表面和侧表面；其中，连接端子竖直延伸到高于下半导体芯片的顶表面的水平的水平，并且其中，散热层的顶表面从下模制层暴露。
-
公开(公告)号：CN108363428A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201710835452.5
申请日：2017-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: F28F27/00 , F28F2013/008 , F28F2200/00 , F28F2250/04 , G05B15/02 , G06F1/206 , G06F1/324 , G06F1/3296 , G05D23/20
Abstract: 一种热管理的控制器及设备，可确保设备的用户的安全。控制器被配置成：获取第一元件的温度及第二元件的温度；以及基于所述第一元件的所述所获取温度、所述第二元件的所述所获取温度、所述第一元件的第一温度限值、及所述第二元件的第二温度限值来调整所述第一元件与所述第二元件之间的媒介的热阻。
-
公开(公告)号：CN103364099B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201310103256.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种预测温度的方法，包括将温度预测电路可操作地耦合到包括半导体芯片的设备，确定温度预测电路的电流和电压之间的相关性，以及使用确定的相关性来预测相对于施加到设备的电力的温度。
-
公开(公告)号：CN1660528A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052514.2
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 任允赫
CPC classification number: H01L23/473 , F28F3/12 , F28F13/00 , F28F21/089 , F28F2255/18 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于传热的装置及其制造方法。提供一种用于制造用于半导体器件的传热装置的装置和方法。所述制造传热装置的方法可至少包括提供一种具有均匀分散的金属粉和粘结剂粉的复合材料膜以及用填装材料填装的准备用于流路的区域，通过加热复合材料膜熔化粘结剂粉，压所述金属粉，烧结所述金属粉从而形成薄膜金属烧结体，并通过移除填装构件在薄膜金属烧结体内部形成流路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.114 seconds)
