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公开(公告)号：CN101202105B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710305769.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种快闪存储器件，包括每个单元均能储存不同位数的存储单元阵列。该快闪存储器件的页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器在存储单元的编程、擦除和读取操作期间运行。控制逻辑单元根据储存在相应存储单元中的位数控制页缓冲器的功能。
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公开(公告)号：CN100492694C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410035227.6
申请日：2004-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/3431 , G11C2013/0042 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 一种相变存储器件，包括：相变存储单元，具有在非晶态和晶态之间可编程的材料体。写电流源选择性地施加第一写电流脉冲以将相变存储单元编程为非晶态和施加第二写电流脉冲以将相变存储单元编程为晶态。相变存储器件还包括恢复电路，选择性地将第一写电流脉冲施加到相变存储单元，以至少恢复相变存储单元的非晶态。
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公开(公告)号：CN101206922A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
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公开(公告)号：CN1227719C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN99109051.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/823462
Abstract: 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。
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公开(公告)号：CN1177353C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN01110990.4
申请日：2001-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L29/41783 , H01L29/66537 , H01L29/66545
Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内，形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充，形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此，帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1319881A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01110990.4
申请日：2001-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L29/41783 , H01L29/66537 , H01L29/66545
Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内,形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充,形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此,帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。
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公开(公告)号：CN111668218A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010091291.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和/或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。
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公开(公告)号：CN103094346A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210425342.9
申请日：2012-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/06 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/772 , B82Y40/00 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/518 , H01L29/778 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。
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