公开(公告)号：CN1877834A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091601.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东烈 ,  李泰政 ,  金成焕 ,  李受哲

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法。所述半导体集成电路器件包括：包括第一掺杂剂的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一导电层图案；形成于所述第一导电层图案上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的第二导电层图案；以及阻挡照射到半导体衬底的真空紫外线的第一真空紫外线(VUV)阻挡层。

公开(公告)号：CN215220720U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202121340577.9

申请日：2021-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安志荣 ,  韩昇煜 ,  金成焕 ,  朴瑞龙 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  韩泰熙 ,  洪智硕

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。