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公开(公告)号：CN109417059A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780029589.X
申请日：2017-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 现有技术的半导体安装用散热底板利用定向性凝固而经过铸造时的冷却工序，因此金属组织从冷却侧形成粗大的柱状晶，从而散热基体的紧固作用及散热特性和半导体芯片对金属电路层的接合状况会产生不良情况。半导体安装用散热底板具备：绝缘基板(12)，所述绝缘基板(12)固定有安装半导体芯片的金属电路层；以及强度构件(13)，所述强度构件(13)将隔着绝缘基板(12)而在金属电路层的相反侧由与所述金属电路层同样的金属材料形成的散热基体与金属电路层同样地固定于绝缘基板(12)，并在散热基体的内部与绝缘基板隔绝，通过附着于铸模的晶体细化材料(25)对散热基体或金属电路层的任一部分的金属组织的晶体粒进行细化，阻止由柱状晶组织产生的不良影响。
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公开(公告)号：CN105529309B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510673799.5
申请日：2015-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/498
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其能够抑制在陶瓷基板中产生裂纹，并将陶瓷间金属作为电极使用。具有：陶瓷间金属，其具有中间部、第1上攀部、第2上攀部、第1连接部以及第2连接部，其中，该中间部夹在第1陶瓷基板的上表面和第2陶瓷基板的下表面之间，该第1上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第2上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第1连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第1上攀部连接，该第2连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第2上攀部连接；电路图案，其由金属形成在该第2陶瓷基板之上；以及半导体元件，其设置在该电路图案之上，流过该半导体元件的电流在该陶瓷间金属中流动。
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公开(公告)号：CN102751329B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210129980.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/4236
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。稳定板部(33)形成于由第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)所夹的第1主面(1A)的区域。稳定板部(33)包含：最靠近第1绝缘栅型场效晶体管部(32)配置的第1稳定板(5b)；和最靠近第2绝缘栅型场效晶体管部(33)配置的第2稳定板(5b)。发射极电极(11)与第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)的各个发射极区域(3)电连接，并且与第1和第2稳定板(5b)分别电连接，而且隔着绝缘层(4b)配置在由第1和第2稳定板(5b)所夹的第1主面(1A)的整个面上。
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公开(公告)号：CN102751329A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210129980.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/4236
Abstract: 半导体装置。稳定板部(33)形成于由第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)所夹的第1主面(1A)的区域。稳定板部(33)包含：最靠近第1绝缘栅型场效晶体管部(32)配置的第1稳定板(5b)；和最靠近第2绝缘栅型场效晶体管部(33)配置的第2稳定板(5b)。发射极电极(11)与第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)的各个发射极区域(3)电连接，并且与第1和第2稳定板(5b)分别电连接，而且隔着绝缘层(4b)配置在由第1和第2稳定板(5b)所夹的第1主面(1A)的整个面上。
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