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公开(公告)号：CN114068435A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110849846.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 同和金属技术有限公司 , 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种铝/陶瓷结合基板，其具有：陶瓷基板，直接结合至上述陶瓷基板的一侧的铝合金的铝板，直接结合至上述陶瓷基板的另一侧的铝合金的铝基板，和强度比上述铝基板的强度更高的板状增强构件，上述板状增强构件配置在上述铝基板中以直接结合至上述铝基板，其中，上述铝合金包含0.01～0.2重量％的镁、0.01～0.1重量％的硅，以及其余部分为铝和不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN108292631A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084967.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大宅大介
CPC classification number: H01L23/02 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512
Abstract: 目的在于提供能够以简单的构造将壳体以及基座板接合，且提高绝缘耐量的半导体模块。半导体模块具备：基座板(1)；半导体芯片(2)，其在与基座板1的外周部相比靠内侧处配置于基座板(1)上方；以及壳体(3)，其与基座板(1)的外周部通过粘接剂(6)接合，该壳体对半导体芯片(2)进行收容。在基座板(1)的上表面中的俯视观察时位于壳体(3)的内壁(3a)与半导体芯片(2)之间的部分配置有凹部或凸部。
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公开(公告)号：CN114072903B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201980098234.5
申请日：2019-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大宅大介
Abstract: 目的在于提供能够提高半导体装置的生产率的技术。半导体装置(202)具有：基座板(16)；绝缘基板(14)，其具有以不经由焊料层的方式与基座板(16)的上表面一体地接合的陶瓷板(13)和在陶瓷板(13)的上表面设置的电路图案(12)；半导体元件(10)，其搭载于电路图案(12)的上表面；壳体(17)，其在基座板(16)之上将绝缘基板(14)及半导体元件(10)围绕；粘接剂(23)，其将壳体(17)的下部与陶瓷板(13)的外周部粘接；以及封装材料(19)，其将壳体(17)的内部封装，粘接剂(23)从陶瓷板(13)的外周端至电路图案(12)的外周端地与它们接触。
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公开(公告)号：CN109716516B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201680089339.0
申请日：2016-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在散热板(1)之上设置有配线基板(2)。在配线基板(2)之上设置有半导体芯片(8)。以将配线基板(2)以及半导体芯片(8)包围的方式在散热板(1)之上设置有外壳框体(10)。外壳框体(10)的下表面与散热板(1)的上表面外周部通过粘接剂(11)而粘接。封装材料(13)设置于外壳框体(10)内，覆盖配线基板(2)以及半导体芯片(8)。在外壳框体(10)的下表面和散热板(1)的上表面外周部的至少一者设置有台阶部(16、17)。散热板(1)的侧面与外壳框体(10)的外侧面是同一面。
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公开(公告)号：CN108511408A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810156731.3
申请日：2018-02-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供适于小型化，而且能够简单地制造的半导体装置和该半导体装置的制造方法。特征在于，具有：半导体芯片；电极，其与该半导体芯片电连接，具有环状部；筒状电极，其具有形成有螺纹槽的主体部、和与该主体部相连且宽度比该主体部窄的窄幅部，该窄幅部插入至该环状部的内侧，使该筒状电极与该电极电连接；以及该半导体芯片和该电极的壳体，该壳体使该螺纹槽、以及该环状部与该筒状电极的连接部露出，且该壳体与该主体部接触。
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公开(公告)号：CN105529309A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510673799.5
申请日：2015-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/498
CPC classification number: H05K1/0306 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2924/19107 , H05K1/0296 , H05K1/142 , H05K1/181 , H05K3/0067 , H05K2201/0919 , H05K2201/09845 , H01L2924/00014 , H01L23/15 , H01L23/498
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其能够抑制在陶瓷基板中产生裂纹，并将陶瓷间金属作为电极使用。具有：陶瓷间金属，其具有中间部、第1上攀部、第2上攀部、第1连接部以及第2连接部，其中，该中间部夹在第1陶瓷基板的上表面和第2陶瓷基板的下表面之间，该第1上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第2上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第1连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第1上攀部连接，该第2连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第2上攀部连接；电路图案，其由金属形成在该第2陶瓷基板之上；以及半导体元件，其设置在该电路图案之上，流过该半导体元件的电流在该陶瓷间金属中流动。
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公开(公告)号：CN114730757B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980102448.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够实现模块的小型化的电力用半导体装置。本发明涉及的电力用半导体装置具有：发射极主电极，其设置于多个半导体芯片的每一者；以及主电极发射极感测端子，其与各发射极主电极直接连接，一部分露出到模块的外部，各主电极发射极感测端子在模块外部的俯视观察时，位于对角，并且主电极发射极感测端子与本身所连接的发射极主电极之间的距离比主电极发射极感测端子彼此之间的距离近。
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公开(公告)号：CN114391176A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201980100046.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供对由热应力造成的金属图案的变形进行抑制而使相对于热循环的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含绝缘基板、金属图案、微小化区域及半导体芯片。金属图案设置于绝缘基板的上表面。微小化区域设置于金属图案的表面的至少一部分区域。该微小化区域包含比该表面的至少一部分区域之外的金属图案所包含的金属的晶粒小的晶粒。半导体芯片安装于金属图案的微小化区域。
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公开(公告)号：CN110169211B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201880005793.2
申请日：2018-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 金属‑陶瓷接合基板(1)由于散热面(4a)形成为球面状的凸形状，所以在散热面(4a)安装散热片时的与导热脂的接触压高，能够确保高的散热性。另外，通过在铸模(20)的内部的比金属‑陶瓷接合基板(1)的外形更靠外侧的位置设置与金属基体部形成部(23)连通的溢出部(26)，在使熔融金属凝固冷却时溢出部残留物(10)被铸模(20)约束，所以由于金属材料和陶瓷材料的线膨胀系数的差而产生的翘曲变形被抑制，并且能够抑制熔融金属流动过程中的流动性不良、冷隔流痕、凝固冷却过程中的表面破裂等铸造缺陷。
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公开(公告)号：CN112534571A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096310.4
申请日：2018-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 特征在于，具有：第1电极；第2电极；树脂壳体，其包围该第1电极和该第2电极；以及树脂绝缘部，其在该树脂壳体的内侧覆盖该第1电极的一部分和该第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与该树脂壳体相同。该树脂绝缘部与该树脂壳体的内壁接触或与该树脂壳体的内壁分离。通过在该树脂绝缘部形成有位于该第1电极和该第2电极之间的槽，从而对该第1电极和该第2电极之间提供了没有该树脂绝缘部的空间或与该树脂绝缘部不同的物质。
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