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公开(公告)号：CN110304923A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910597379.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632
Abstract: 本发明的一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，步骤为：将不同规格B4C粉体按比例混匀，磨粉备用；以水为溶剂，丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵为溶质，按比例配制成预混液，加入B4C混合粉体后加入引发剂进行注模固化，经干燥、碳化后得到B4C坯体；将Si置于B4C坯体上真空熔渗后，得碳化硼陶瓷复合材料。本发明方法简单、制得坯体相对密度高；坯体可进行机械加工，可以制备形状复杂制品；烧结温度低，可以在较低成本下制得组织均匀可控、综合力学性能优良的低密度B4C复合材料；制品密度低，具有高的比强度；烧结前后制品尺寸变化＜1％，属于净尺寸烧结。
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公开(公告)号：CN106278281A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610674207.6
申请日：2016-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/634 , C22C1/10 , C22C1/05 , C22C29/14
CPC classification number: C04B35/58071 , C04B35/622 , C04B35/63416 , C04B35/65 , C04B2235/3813 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/602 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C22C1/1068 , C22C29/14
Abstract: 一种硼化钛基复合阴极材料及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。硼化钛基复合阴极材料，由TiB2粉末、金属Mo粉末和Si复合而成；其相组成为TiB2、MoSi2、Si、Mo2B、Ti3B4和TiB55。其制备方法，包括：(1)制备TiB2-Mo混合粉体；(2)将TiB2-Mo混合粉体与粘结剂混合均匀，制备模压物料；(3)将模压物料模压成型，获得TiB2-Mo素坯；(4)将TiB2-Mo素坯作为骨架，Si作为熔渗剂，进行真空熔渗，获得硼化钛基复合阴极材料。该方法通过先将原料模压成型，再进行无压真空渗硅，制得致密度高的硼化钛基复合阴极材料，可以用于铝电解槽中；该方法步骤简单、烧结温度低，烧结过程无形变、制备成本较低，并且能生产各种形状复杂、大尺寸的产品。
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公开(公告)号：CN105084902A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510465953.X
申请日：2015-07-31
Applicant: 东北大学
Abstract: 针对现有二硼化钛基陶瓷复合材料制备方法中存在的问题，本发明提供了一种二硼化钛基陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域。该方法按以下步骤进行：(1)将TiB2粉末与碳源混合均匀，再进行过筛，选取粒度在24～60目间的颗粒作为模压物料；(2)将模压物料模压成型，干燥后获得TiB2基素坯；(3)将TiB2基素坯作为骨架，采用Si作为熔渗剂，进行真空熔渗。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的二硼化钛基陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化
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公开(公告)号：CN116835987B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310885252.6
申请日：2023-07-19
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种低成本的碳化硼‑纳米SiC陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：将炭黑粉体通过PEI超声分散均匀，然后加入碳化硼，球磨得到湿料，然后在湿料中加入PVA水溶液，继续球磨后获得复合湿料；将复合湿料烘干、研磨得到复合粉体；将获得的粉体模压成型得到B4C‑炭黑素坯；将B4C‑炭黑素坯作为基体，单质硅作为熔渗剂，进行真空熔渗获得碳化硼陶瓷复合材料。本发明克服了炭黑在碳化硼浆料和坯体中容易团聚的问题，实现了在碳化硼陶瓷浆料和坯体中引入了均匀分布的炭黑，渗硅反应烧结后在碳化硼陶瓷基体中形成了纳米SiC陶瓷骨架，复合材料的力学性能得到明显提高，并且本发明工艺流程低成本、易操作、无污染，适用于大批量工业生产。
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公开(公告)号：CN117547277A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210939547.2
申请日：2022-08-05
Abstract: 本申请实施例公开了一种心电电极及电子设备，涉及心电检测设备领域，解决了现有心电电极与人体的有效接触面积较小使得心电电极的信号质量稳定性较低的问题。该心电电极包括导电陶瓷层和导电层。其中，导电陶瓷层具有相对的第一表面和第二表面。第一表面用于与导线电连接。导电层层叠设置在导电陶瓷层的第二表面上。并且，导电层与导电陶瓷层电连接。导电层与导电陶瓷层可以直接电连接，也可以间接电连接。导电层用于与皮肤接触以采集电信号。由于导电层上远离导电陶瓷层的外表面可以均与皮肤接触而形成整面的有效接触，所以，本申请通过在导电陶瓷层上增设导电层，增大了心电电极与皮肤接触的有效面积。进而，提升了心电电极的信号质量稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115010496B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210777050.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/573 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 本发明的一种性能可控的B4C‑金刚石复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。步骤为：按质量比，碳化硼粉体：金刚石：酚醛树脂＝0.8:(0.1‑0.2):(0‑0.1)，将三者湿混获得混合物料，烘干后研磨过筛，模压成型后，干燥碳化获得B4C‑金刚石‑C素坯；将B4C‑金刚石‑C素坯置于石墨坩埚中，上方铺单质硅粒，真空环境下升温至1450℃～1650℃，保温进行低温熔渗或高温熔渗，随炉冷却后制得高硬高耐磨B4C‑金刚石复合材料(低温熔渗)，或高抗弯强度B4C‑金刚石复合材料(高温熔渗)。本发明通过对原料配比、熔渗温度、熔渗时间等参数控制，能够实现对金刚石与Si反应的有效控制，从而能够制备出性能优良、可控的反应烧结B4C‑金刚石复合材料。
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公开(公告)号：CN115745613A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210911099.5
申请日：2022-11-15
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B41/85 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种低成本碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，其包括S1、将硼酸粉体与炭黑混合均匀，模压成型后进行预脱水；S2、将预脱水后的粉体进行碳热还原反应，合成碳化硼或碳化硼‑C粉体；S3、将步骤S2合成的粉体与粘结剂混合均匀，模压成型，干燥后获得多孔陶瓷素坯；S4、将素坯作为骨架，以硅作为熔渗剂，进行真空熔渗，获得碳化硼陶瓷复合材料。本发明的制备方法步骤简单、熔渗温度低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的碳化硼陶瓷复合材料，该材料体积密度较低，综合力学性能优良的特点，生产成本低而且工艺简单、熔渗温度较低、制备周期短、效率高；并且本发明的制备方法能够生产各种形状复杂的产品。
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公开(公告)号：CN110304923B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910597379.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/632
Abstract: 本发明的一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，步骤为：将不同规格B4C粉体按比例混匀，磨粉备用；以水为溶剂，丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵为溶质，按比例配制成预混液，加入B4C混合粉体后加入引发剂进行注模固化，经干燥、碳化后得到B4C坯体；将Si置于B4C坯体上真空熔渗后，得碳化硼陶瓷复合材料。本发明方法简单、制得坯体相对密度高；坯体可进行机械加工，可以制备形状复杂制品；烧结温度低，可以在较低成本下制得组织均匀可控、综合力学性能优良的低密度B4C复合材料；制品密度低，具有高的比强度；烧结前后制品尺寸变化＜1％，属于净尺寸烧结。
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公开(公告)号：CN113416076A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110934914.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明的一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域，制备步骤如下：按质量百分比α‑SiC粉体：β‑SiC粉体：B4C粉体：炭＝(92％‑94％)：(1％‑3％)：(1％‑3％)：(2％‑4％)，称取α‑SiC粉体、β‑SiC粉体、B4C粉体和炭；原料经混匀干燥过筛后，压制成型，获得素坯；将素坯置于真空管式炉中，进行碳化处理，碳化温度为600‑900℃；碳化后试样经无压烧结后，冷却，制得自增强碳化硅陶瓷材料。该方法通过向α‑SiC粉体中复配不同粒径尺寸的β‑SiC粉体，以制备出具有高密度，高强度，高硬度且组织均匀的固相无压烧结碳化硅陶瓷材料，提高无压烧结碳化硅陶瓷材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN107337454B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710537447.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅复合粉体的制备方法。该氮化硅复合粉体的制备方法包括如下步骤：S1、将硝酸铝和硝酸钇按摩尔比5：2.5‑3加入水中，形成原料溶液；S2、将尿素加入原料溶液中，形成混合溶液；S3、将氮化硅粉体加入混合溶液中，形成混合物；S4：对混合物进行热处理，热处理温度为25‑99℃，热处理后进行固液分离，得到的固体干燥物为氮化硅复合粉体。本发明的氮化硅复合粉体的制备方法，不仅工艺简单而且PH值容易控制，便于推广，此外，在氮化硅表面包覆形成的纳米级烧结助剂均匀。
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