一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺

    公开(公告)号:CN113548666A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110940019.4

    申请日:2021-08-16

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺,属于碳化硅除铁技术领域,包括步骤如下:将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05~0.2mol/L的酸洗剂溶液中,进行超声辅助搅拌酸洗,超声功率为180W~270W,获得酸洗浆料;酸洗浆料经去离子水反复冲洗,获得水洗后SiC粉体;水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式,由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生,并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流,提高粉体在酸液中的扩散性及分散性,以解决亚微米级SiC粉体极易团聚,在水中不易分散的技术问题,进而提高化学反应速率,且大幅提高粉体中铁的去除率。

    一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺

    公开(公告)号:CN113548666B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202110940019.4

    申请日:2021-08-16

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺,属于碳化硅除铁技术领域,包括步骤如下:将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05~0.2mol/L的酸洗剂溶液中,进行超声辅助搅拌酸洗,超声功率为180W~270W,获得酸洗浆料;酸洗浆料经去离子水反复冲洗,获得水洗后SiC粉体;水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式,由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生,并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流,提高粉体在酸液中的扩散性及分散性,以解决亚微米级SiC粉体极易团聚,在水中不易分散的技术问题,进而提高化学反应速率,且大幅提高粉体中铁的去除率。

    一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113416076A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110934914.5

    申请日:2021-08-16

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明的一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域,制备步骤如下:按质量百分比α‑SiC粉体:β‑SiC粉体:B4C粉体:炭=(92%‑94%):(1%‑3%):(1%‑3%):(2%‑4%),称取α‑SiC粉体、β‑SiC粉体、B4C粉体和炭;原料经混匀干燥过筛后,压制成型,获得素坯;将素坯置于真空管式炉中,进行碳化处理,碳化温度为600‑900℃;碳化后试样经无压烧结后,冷却,制得自增强碳化硅陶瓷材料。该方法通过向α‑SiC粉体中复配不同粒径尺寸的β‑SiC粉体,以制备出具有高密度,高强度,高硬度且组织均匀的固相无压烧结碳化硅陶瓷材料,提高无压烧结碳化硅陶瓷材料的综合性能。

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