-
公开(公告)号：CN104062575A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
-
公开(公告)号：CN103701035A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310703155.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构，利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。利用本发明的方法制备激光器前后腔面，可以在不需要解理衬底的条件下，形成高质量的激光器腔面。利用本发明可以制备特定条件下的激光器腔面，比如激光器衬底难以解理形成高质量解理面或者由于特定需要激光器衬底不能被解理。
-
公开(公告)号：CN102260870B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110198078.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C30B33/10 , H01L21/308 , H01L21/467 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102260870A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110198078.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C30B33/10 , H01L21/308 , H01L21/467 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN107039884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851932B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510149341.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期的60％以上的光电转换效率。铋原子引起的杂质能带在室温下有很强的光致发光，证明材料内非辐射复合较少，有利于制作太阳能器件。这种新型中间带太阳能电池结构可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。与常规的采用量子点作为中间带的技术方案相比，在本发明的电池结构中应变较小，容易补偿或调控，从而增加吸收区厚度以达到对相应波段太阳光的充分吸收，提高转换效率。
-
公开(公告)号：CN103715195B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310736928.1
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/285 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。
-
公开(公告)号：CN104766895B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510151566.9
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构，采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子，会在禁带内产生新的杂质能带，其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2.7微米内可调，通过改变铋的浓度和相应厚度，可以吸收和转换相应波段的太阳光。与常规的采用锗作为0.67eV结太阳能电池技术方案相比，本发明可以有效减小多结太阳能电池中低能段光子能量的透射损耗和热损耗，提高太阳能转换效率。
-
公开(公告)号：CN105951055A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/01 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B25/186
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN103701035B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310703155.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构，利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。利用本发明的方法制备激光器前后腔面，可以在不需要解理衬底的条件下，形成高质量的激光器腔面。利用本发明可以制备特定条件下的激光器腔面，比如激光器衬底难以解理形成高质量解理面或者由于特定需要激光器衬底不能被解理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.047 seconds)
