公开(公告)号：CN116830245A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280015092.3

申请日：2022-02-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳 ,  奥村雄三 ,  公文创一

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的表面处理组合物是以蒸气形式被供给至表面具有凹凸图案的晶圆的表面的、用于在表面形成拒水性保护膜的、包含甲硅烷基化剂及溶剂的表面处理组合物，其中，甲硅烷基化剂包含三烷基甲硅烷基胺，溶剂包含选自由二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯组成的组中的至少1种或2种以上，溶剂的总量100质量％中，二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯的总计含量为50质量％以上。

公开(公告)号：CN115699259A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180036555.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  福井由季 ,  盐田彩织 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C11D17/08 ,  C11D7/04 ,  C11D7/08 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和/或水后退角在室温25度下为40°以上。

公开(公告)号：CN114008538A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080042729.9

申请日：2020-06-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: G03F7/40

Abstract: 本公开提供：在配液时能够在短时间内溶解原料、能表现出优异的赋予拒水性的效果的表面处理剂、及使用了该表面处理剂的表面处理体的制造方法。本公开的表面处理剂包含：(I)下述通式[1]和[2]所示的硅化合物中的至少1种；(II)下述通式[3]所示的含氮杂环化合物、下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、及咪唑中的至少1种；(III)有机溶剂；及(IV)下述通式[5]和[6]所示的硅化合物中的至少1种。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1]，(R4)c(H)dSi[OC(R5)＝NSi(R6)e(H)3‑e]4‑c‑d[2]，(R13)f(H)gSi[OC(＝O)R14]4‑f‑g[5]，(R15)h(H)iSiX4‑h‑I[6]

公开(公告)号：CN111630633A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086426.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  照井贵阳 ,  山田周平 ,  奥村雄三 ,  公文创一 ,  盐田彩织 ,  近藤克哉

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。

公开(公告)号：CN102598221B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201080049331.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  荒田忍 ,  斋尾崇 ,  公文创一 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。

公开(公告)号：CN103299403B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180064801.9

申请日：2011-12-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋尾崇 ,  公文创一 ,  斋藤真规 ,  荒田忍 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成拒水性保护膜(10)的保护膜形成用化学溶液，其用于改善容易诱发表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部(4)表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌中的至少1种元素的晶片(金属系晶片)的图案倾塌的清洗工序。[解决方案]一种拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含下述拒水性保护膜形成剂和溶剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在前述金属系晶片的清洗工序之后且干燥工序之前在至少凹部(4)表面形成拒水性保护膜(10)，该拒水性保护膜形成剂为通式[1]表示的化合物。(R1是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基，R2各自相互独立地是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的烃基的1价有机基团，a是0至2的整数。)

公开(公告)号：CN102971835B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180032490.8

申请日：2011-06-15

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 荒田忍 ,  斋藤真规 ,  斋尾崇 ,  公文创一 ,  七井秀寿

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09D5/38 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开了拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其是用于在金属系晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的化学溶液，该化学溶液含有基于Griffin法的HLB值为0.001~10且具有包含碳原子数为6~18的烃基的疏水部的表面活性剂、以及水，化学溶液中前述表面活性剂的浓度相对于该化学溶液的总量100质量%为0.00001质量%以上且饱和浓度以下。该化学溶液能够改善容易诱发金属系晶片的图案倾塌的清洗工序。

公开(公告)号：CN104662645A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050128.2

申请日：2013-09-12

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 荒田忍 ,  公文创一 ,  斋藤真规 ,  斋尾崇

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B08B3/04 ,  C09D7/63 ,  Y10T428/24364 ,  H01L21/02057

Abstract: [课题]本发明提供如下的形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成用化学溶液，该化学溶液用于改善容易诱发表面形成凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽、以及钌中的至少一种元素的晶片(金属系晶片)的图案倒塌的清洗工序。[解决方法]拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液用于在采用仅由质子性极性溶剂构成的冲洗液或以质子性极性溶剂作为主要成分的冲洗液对前述晶片表面进行冲洗处理的冲洗处理工序的前，通过保持在该晶片的至少凹部，从而在至少该凹部表面上形成拒水性保护膜，该化学溶液包含拒水性保护膜形成剂和溶剂，该拒水性保护膜形成剂为下述通式[1]～[3]所示的至少一种化合物。(R3)b(R4)cNH3-b-c[2]；R5(X)d [3]；。

公开(公告)号：CN102598221A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049331.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  荒田忍 ,  斋尾崇 ,  公文创一 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D1/002 ,  C11D1/004 ,  C11D1/04 ,  C11D1/40 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31127

Abstract: 本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。

公开(公告)号：CN101675133A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014943.2

申请日：2008-04-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  滨口滋生 ,  公文创一 ,  赤松佳则

IPC: C09D183/04 ,  C03C17/25 ,  C09D1/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/10

CPC classification number: C09D1/00 ,  C03C1/008 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/113 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明涉及一种涂布液，其为用于获得溶胶凝胶膜的涂布液，该涂布液含有固体成分和溶剂，该固体成分具有烷氧基硅烷在酸性水溶液中水解和缩聚而获得的氧化硅低聚物，该溶剂具有沸点为100℃以上且粘度为3.5mPa·s以下的有机溶剂和前述酸性水溶液，其中，前述氧化硅低聚物的聚苯乙烯换算的数均分子量为500～4000，涂布液中的固体成分的含量为8～30重量％，固体成分中的氧化硅低聚物的含量为10重量％以上。通过本发明，即使用手工涂布等无需设备就可涂布的涂布方法，也可获得具有硬度、以透明性为首的外观、透视变形、膜厚等方面优良品质的溶胶凝胶膜。