公开(公告)号：CN111886676B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980020638.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供蒸气处理用的新型组合物及使用该新型组合物的蒸气的具有Si元素的晶圆的表面处理方法，该新型组合物为拒水性保护膜形成成分的种类更少的组合物，其可以发挥与利用以往(拒水性保护膜形成成分的种类较多的)组合物的蒸气进行具有Si元素的晶圆表面的处理的情况同等的拒水性赋予效果，化学稳定性优异。本发明的晶圆的表面处理方法的特征在于，其为在表面具有凹凸图案且至少在该凹部具有Si元素的晶圆的清洗中，在上述凹凸图案的至少凹部保持有液体的状态下，将含有拒水性保护膜形成成分和溶剂的组合物的蒸气供给至上述凹凸图案表面，使上述蒸气的状态变为液体状态，将保持于上述凹部的液体置换为该组合物的液体，从而至少在上述凹部表面形成拒水性保护膜的方法，上述拒水性保护膜形成成分仅为下述通式[1]所示的化合物，上述溶剂至少含有非环状碳酸酯，溶剂总量中的上述非环状碳酸酯的量为50～100质量％。[式[1]中，R1分别独立为选自H基、碳数为1～10的烃基及氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数为1～10的烃基的基团；x为1～3的整数。R2分别相互独立为选自氢原子的一部分或全部任选被氟原子取代的甲基、乙基、乙酰基的基团]。R1x(CH3)3‑xSiN(R2)2 [1]。

公开(公告)号：CN111512418B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880083226.9

申请日：2018-12-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4‑c‑d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3‑g]4‑e‑f[3]

公开(公告)号：CN105393341B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201480041085.6

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 照井贵阳 ,  小森谷治彦 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/0018 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D133/16 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN102858822B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201180021541.7

申请日：2011-03-07

Applicant: 国际商业机器公司 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 藤原昌生 ,  詹姆斯·赫德里克 ,  丹尼尔·桑德斯 ,  照井贵阳 ,  安本学

IPC: C08F283/00 ,  C08F283/02

CPC classification number: C08G64/1633 ,  C07D319/06 ,  C08G63/08 ,  C08G63/64 ,  C08G64/0233 ,  C08G64/0241 ,  C08G64/025 ,  C08G64/38 ,  C08G64/42 ,  C08G2261/126 ,  Y02P20/582

Abstract: 公开了一种制备包含活性的五氟苯基酯基侧基的环状羰基化合物的一锅法。环状羰基化合物可通过开环方法聚合以形成包含重复单元的ROP聚合物，所述重复单元包含侧链五氟苯基酯基。在开环聚合之前或之后，可使用合适的亲核体将五氟苯基酯基侧基选择性地转变为多种其他官能团。

公开(公告)号：CN102770808A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010028.8

申请日：2011-02-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  中央硝子株式会社

Inventor： D·P·桑德斯 ,  藤原昌生 ,  照井贵阳

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325

Abstract: 提供在光刻技术中使用的含磺酰胺的光刻胶组合物，其具有高分辨率、低模糊成像的改良性能。还提供用于抗蚀应用的醇溶性光刻胶。本发明的含磺酰胺的光刻胶组合物包括正型光刻胶组合物，其包括如式(I)所示的具有支化连接基团的磺酰胺取代的重复单元。

公开(公告)号：CN119278504A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380043184.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 谷口敬寿 ,  林志坚 ,  宫崎达夫 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明的基材的处理方法具有下述工序：准备工序，准备在表面具有第1表面及第2表面的基材，所述第1表面含有Si，所述第2表面与第1表面化学组成不同且含有Si；表面改性工序，在施加使硅烷基化剂接触第1表面及第2表面的硅烷基化处理后，施加相对于第1表面而言将第2表面的拒水性选择性地降低的拒水性调整处理；以及加工工序，在表面改性工序之后，对于第2表面选择性施加加工处理。

公开(公告)号：CN118451534A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086237.9

申请日：2022-12-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  铁村美月 ,  吉田彩香 ,  盐田彩织 ,  照井贵阳

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18

Abstract: 本公开的膜形成用组合物为用于供给至表面由质子性液体覆盖的状态的基板、在其表面的至少一部分形成拒水性膜的膜形成用组合物，所述膜形成用组合物包含：甲硅烷基化剂，其将基板的表面甲硅烷基化；催化性化合物，其促进基于甲硅烷基化剂的甲硅烷基化反应；和，非质子性溶剂，催化性化合物的含量在该膜形成用组合物100质量％中为1.0质量％以上。

公开(公告)号：CN111512418A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880083226.9

申请日：2018-12-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4-a-b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4-c-d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3-g]4-e-f[3]

公开(公告)号：CN105393342B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480041087.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小森谷治彦 ,  照井贵阳 ,  小林史人 ,  原由香里 ,  原育成

IPC: H01L21/47 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L51/56 ,  C08F232/04 ,  C08K5/02 ,  C08K5/06 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D127/12 ,  C09D129/10 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  H01L27/3241 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012 ,  C08F216/14

Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

公开(公告)号：CN113169060B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201980076584.1

申请日：2019-10-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的倒角部处理剂组合物为用于对晶圆的倒角部进行处理的、含有甲硅烷基化剂的倒角部处理剂组合物，具有按照规定的步骤测得的表面改质指标Y与表面改质指标Z满足0.5≤Y/Z≤1.0的特性。