公开(公告)号：CN105393345A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480039640.1

申请日：2014-05-20

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·沃伊奇克 ,  C·E·尤佐 ,  M·纽曼 ,  T·卡斯基 ,  P·莫纳德吉米

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。

公开(公告)号：CN104718611A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380038752.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  C·G·沃伊奇克 ,  T·卡斯基 ,  K·V·德塞 ,  魏怀亮 ,  C·米彻尔 ,  B·哈巴

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。