公开(公告)号：CN104718611A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380038752.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  C·G·沃伊奇克 ,  T·卡斯基 ,  K·V·德塞 ,  魏怀亮 ,  C·米彻尔 ,  B·哈巴

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。

公开(公告)号：CN104718611B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380038752.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  C·G·沃伊奇克 ,  T·卡斯基 ,  K·V·德塞 ,  魏怀亮 ,  C·米彻尔 ,  B·哈巴

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。

公开(公告)号：CN109564913A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049091.X

申请日：2017-08-07

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  S·李 ,  C·米彻尔 ,  G·Z·格瓦拉 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  B23K1/0008 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了器件和技术的代表性具体实施，所述具体实施为载体或封装提供了加强。将加强层添加到所述载体的表面，常常是所述载体的底表面，除了放置端子连接之外，所述表面通常未被充分利用。所述加强层向所述载体或封装添加了结构支撑，否则其可以非常薄。在各种实施方案中，将所述加强层添加到所述载体或封装中减少了所述载体或封装的翘曲。

公开(公告)号：CN109564913B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780049091.X

申请日：2017-08-07

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  S·李 ,  C·米彻尔 ,  G·Z·格瓦拉 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明公开了器件和技术的代表性具体实施，所述具体实施为载体或封装提供了加强。将加强层添加到所述载体的表面，常常是所述载体的底表面，除了放置端子连接之外，所述表面通常未被充分利用。所述加强层向所述载体或封装添加了结构支撑，否则其可以非常薄。在各种实施方案中，将所述加强层添加到所述载体或封装中减少了所述载体或封装的翘曲。