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公开(公告)号：CN105393345B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480039640.1
申请日：2014-05-20
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/32055 , H01L21/76802 , H01L21/76841 , H01L21/76858 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/525 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。
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公开(公告)号：CN105122445A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480022444.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种微电子组件，包括介电区域、多个导电元件、密封剂和微电子元件。密封剂的热膨胀系数(CTE)可以不大于与介电区域或微电子元件中的至少一个相关联的CTE的两倍。
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公开(公告)号：CN104685622A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051572.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 伊文萨思公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H05K1/0298 , H05K3/46 , Y10T29/49126 , Y10T29/49162 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种用于制作中介结构的方法，包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体，该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分，其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧，并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触，第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。
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公开(公告)号：CN105849891B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480067772.5
申请日：2014-12-02
Applicant: 伊文萨思公司
Inventor： C·E·尤佐
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/32051 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/0345 , H01L2224/05124 , H01L2224/05181 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 为了减少晶片的至少一个区域的翘曲，形成应力/翘曲管理层(810)以使现有翘曲过平衡并改变方向。例如，如果该区域的中间相对于该区域的边界向上膨胀，则该区域的中间可能变得向下膨胀，或反之亦然。然后对应力/翘曲管理层进行处理以减小过平衡。例如，可以在选定位置处将应力/管理层从晶片剥离，或者可以在该层中形成凹部，或者可以在该层中引起相变。在其他实施例中，该层是钽铝层，其可以使或可以不使翘曲过平衡；据信该层由于依赖晶相的应力而减少了翘曲，该应力动态地调节以适应温度变化，从而减少翘曲(可能通过热循环来保持晶片平整)。还提供了其他特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107210240A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
Abstract: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN104718611B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380038752.0
申请日：2013-06-06
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/34 , H01L21/76841 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/1134 , H01L2224/1147 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13565 , H01L2224/32105 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/81805
Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。
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公开(公告)号：CN105122448A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380059169.8
申请日：2013-09-12
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/4334 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/3011 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种可调复合中介层。复合中介层可以包括衬底元件和支撑元件。衬底元件可以具有限定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一和第二表面，并且可以具有暴露在第一表面处的多个触点、和延伸通过该厚度的电传导结构。支撑元件可以具有：半导体材料或者电介质中的至少一个的本体，暴露在支撑元件的第二表面处；开口，延伸通过本体的厚度；传导过孔，在本体的厚度的方向上在至少一些开口内延伸；以及端子，暴露在支撑元件的第一表面处。支撑元件的第二表面可以与衬底元件的第二表面结合。端子可以通过传导过孔和电传导结构与触点电连接。
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公开(公告)号：CN107112290A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580053897.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/13 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种用于局部化底充胶的器件和方法，所述器件和方法包括衬底、多个管芯和底充胶材料。衬底包括由多个台面分隔的多个触点以及多个腔体。所述多个管芯使用所述多个触点安装到所述衬底。所述底充胶材料位于所述衬底和所述管芯之间。所述底充胶材料使用所述台面局部化为多个区域。所述触点中的每个位于所述腔体中的相应一个。在一些实施方案中，所述衬底还包括互连所述腔体的多个通道。在一些实施方案中，所述衬底还包括多个腔体内台面，用于进一步局部化所述底充胶材料。在一些实施方案中，所述管芯的第一个的外边缘置于所述腔体的第一个的边缘上。
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公开(公告)号：CN105612275A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055039.1
申请日：2014-09-30
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: C25F3/14 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/0655 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/367 , H01L23/3733 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L24/17 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/15701 , H01L2924/15724 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15763 , H05K1/0212 , H05K1/115 , H05K3/07 , H05K2201/10378
Abstract: 在导电层的第一导电部分上方形成掩模，以暴露所述导电层的第二导电部分。执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移除导电材料。相对于所述电解工艺所施加的电场，将所述第二区域与所述掩模对齐。所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域与所述第一导电部分分隔开。所述电解工艺相对于所述第二区域集中，使得与在所述第一区域中相比，在所述第二区域中以相对更高的比率进行移除。
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