公开(公告)号：CN101473075B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780023255.8

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供了AlxGa1-xN晶体生长方法以及AlxGa1-xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1-xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1-xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1-xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1-xN晶体10，以减少AkxGa1-xN晶体10中的位错。

公开(公告)号：CN102414796A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN102326231A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008691.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  中幡英章 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

公开(公告)号：CN102308370A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080007182.5

申请日：2010-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  元木健作

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN102131964A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201080002414.8

申请日：2010-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。

公开(公告)号：CN102099510A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127950.8

申请日：2009-06-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章 ,  荒川聪 ,  山本喜之 ,  樱田隆

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向 方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。

公开(公告)号：CN101535533A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780042700.5

申请日：2007-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  上松康二 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  中畑成二 ,  冈久拓司

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。

公开(公告)号：CN101312164A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN107078649B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201580056287.2

申请日：2015-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 中幡英章 ,  初川聪 ,  弘津研一 ,  大平孝 ,  山田恭平 ,  江头大也

IPC: H02M5/22 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供一种变压器，该变压器的前级电路包括：开关串联单元，电容器以及接地电路径。并联至电源的开关串联单元包括：被配置为交替导通的奇数/偶数开关。假设开关的互连点以及开关串联单元的两端的点为总计m个节点，则两端的点中的一个是接地节点，电容器设置在合并奇数节点并将奇数节点引导至第一输出端口的第一电路径和合并偶数节点并将偶数节点引导至第二输出端口的第二电路径中的至少一个电路径上，且存在电容器以便对应于除接地节点之外的至少(m‑1)个节点。接地电路径将接地节点直接连接至第一输出端口而无需插入的电容器。

公开(公告)号：CN107112908A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580054952.4

申请日：2015-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 中幡英章 ,  弘津研一 ,  大平孝 ,  山田恭平 ,  江头大也

IPC: H02M5/22 ,  H02M3/155

CPC classification number: H02M5/12 ,  H02M3/158 ,  H02M5/22 ,  H02M5/293

Abstract: 变压器包括作为前级电路的开关串联单元和电容器。开关串联单元包括被配置为交替接通的奇数编号的开关和偶数编号的开关，并且作为整体与电源并联连接。假设各个开关的相互连接点和开关串联单元两端的点被视为是总共m个节点，则电容器被设置在至少以下一个电路径上：组合奇数节点并将奇数节点引导到第一输出端口的第一电路径，以及组合偶数节点并将偶数节点引导到第二输出端口的第二电路径。存在电容器以便对应于至少(m‑1)个节点。变压器包括作为后级电路的元件串联单元和电感器。元件串联单元由彼此串联连接并且执行相反极性的导电操作的一对半导体元件组成。元件串联单元的两端中的一端连接到第一输出端口，而其另一端连接到第二输出端口。电感器设置在至少以下一个电路径上：组合作为元件串联单元的两个端点的两个节点并将两个节点引导到负载的两端中的一端的第三电路径，以及将作为该一对半导体元件的相互连接点的一个节点引导到所述负载的另一端的第四电路径。电感器存在以便对应于总共三个节点中的至少两个节点。