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公开(公告)号：CN1331180C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。
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公开(公告)号：CN1819885A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200380110412.0
申请日：2003-11-12
Applicant: 联合材料公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/27 , B23G5/06 , B23G2200/26 , B23G2225/08 , B23G2225/16 , B23G2225/28 , C23C16/0218 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种切削性能、耐磨性、耐溶敷性、加工表面粗糙度良好的金刚石膜被覆工具及其制造方法。金刚石膜被覆工具，是在基材的表面上覆盖金刚石的膜的金刚石膜被覆工具，其中，所述基材是超硬合金或金属陶瓷，构成所述金刚石膜的成长表面的金刚石结晶颗粒的平均颗粒直径在1.5μm以下，所述金刚石膜的厚度在0.1μm以上20μm以下，所述金刚石膜的平均表面粗糙度用Ra表示在0.01μm以上0.2μm以下。通过对由超硬合金或金属陶瓷构成的基材进行渗碳处理，使金刚石膜成长来得到这样的金刚石膜被覆工具。
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公开(公告)号：CN1651616A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410100663.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/365
Abstract: 一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向{100}朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过汽相合成生长金刚石单晶体，从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
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公开(公告)号：CN100567592C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101253426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032121.8
申请日：2006-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/00 , G02B5/1857 , G02B6/1221 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种光学装置，该光学装置包括含有硅、氧、碳和氢作为主要成分的透明薄膜，其中所述薄膜包括具有较高折射率的局部区和具有较低折射率的局部区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100336943C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410100663.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/365
Abstract: 一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用气相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向 朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过气相合成生长金刚石单晶体，从而使从一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
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公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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公开(公告)号：CN1865534A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610073790.1
申请日：2006-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法，其中，当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时，在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过50nm/100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN1840472A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071559.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
Abstract: 制造金刚石单晶衬底的方法，其中单晶从作为种衬底的金刚石单晶通过气相合成生长，所述方法包括：制备具有主表面的金刚石单晶种衬底作为种衬底，其中该主表面的沿面取向落在相对于{100}平面或{111}平面不超过8度的倾斜范围内；通过机械加工形成许多不同取向的平面，这些平面的主表面的外周边方向相对于该种衬底一侧的主表面倾斜；然后通过气相合成生长金刚石单晶。
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