-
公开(公告)号：CN1840748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
-
公开(公告)号：CN100337310C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200380100213.1
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/04 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n-型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n-型半导体金刚石一共包含1017cm-3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n-型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。
-
公开(公告)号：CN100456490C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
-
公开(公告)号：CN1840748A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
-
公开(公告)号：CN100409408C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用LI和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1662681A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
-
公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
-
公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
-
公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
-
公开(公告)号：CN1692186A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100213.1
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n－型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n－型半导体金刚石一共包含1017cm－3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n－型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.04 seconds)
