公开(公告)号：CN103118770B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180046314.X

申请日：2011-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  柏原秀树 ,  矢萩聪 ,  中井龙资

IPC: B01D65/06 ,  B01D65/02 ,  B01D71/26 ,  B01D71/32 ,  C02F1/44

CPC classification number: C02F1/44 ,  B01D65/02 ,  B01D2313/12 ,  B01D2321/04 ,  B01D2321/168 ,  B01D2321/185 ,  C02F1/441 ,  C02F1/444 ,  C02F2103/008 ,  C02F2103/08 ,  C02F2303/16

Abstract: 本发明提供了一种疏水性过滤膜清洗方法，该疏水性过滤膜用于对海水、排放水、压舱水等包含胶状悬浮物的待处理的水进行膜过滤，并且被待处理的水中的悬浮物堵塞，使所述过滤膜与含柠檬烯的水接触；或者利用清洗液对过滤膜进行逆洗，然后将其中吸入有空气的液流施加到过滤膜的表面上，或者将水流由喷射器喷嘴而喷洒至过滤膜上。还提供了一种能够有效进行上述清洗方法的膜过滤装置。

公开(公告)号：CN101385097B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780005910.7

申请日：2007-01-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也 ,  上山宗谱 ,  长谷川胜哉

IPC: H01B13/00 ,  H01B12/06 ,  H01F6/06

CPC classification number: H01L39/2432 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2454

Abstract: 一种制造超导薄膜材料的方法，其包括形成中间层(2)的步骤，形成与中间层(2)相接触的一个超导层(3)的步骤，以及通过气相方法形成与所述一个超导层(3)相接触的另一个超导层(4)的步骤。在形成中间层(2)的步骤和形成一个超导层(3)的步骤之间，将中间层(2)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中，或者在形成一个超导层(3)的步骤和形成另一个超导层(4)的步骤之间，将所述一个超导层(3)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中。因此，可以改善临界电流值。

公开(公告)号：CN101449341A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018363.6

申请日：2007-04-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也 ,  上山宗谱 ,  长谷川胜哉

IPC: H01B12/06 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  H01B13/00 ,  H01L21/205 ,  H01L39/24

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C14/06 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2448 ,  Y10S505/813 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明公开了一种能够同时获得如高JC和高IC的优良性能并降低成本的超导薄膜材料(1)，所述超导薄膜材料(1)包括取向金属衬底(10)和在该取向金属衬底(10)上形成的氧化物超导膜(30)。所述氧化物超导膜(30)包括通过物理气相沉积法形成的物理气相沉积HoBCO层(31)和通过有机金属沉积法在所述物理气相沉积HoBCO层(31)上形成的有机金属沉积HoBCO层(32)。

公开(公告)号：CN101449340A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018133.X

申请日：2007-04-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2461

Abstract: 本发明公开了一种超导薄膜材料，其中通过防止元素扩散获得良好超导性。本发明还公开了超导薄膜材料的制造方法。本发明具体公开了一种超导薄膜材料(10)，该超导薄膜材料包括基底(11)，由一层或多层构成并且形成在基底(11)上的中间层(12)，以及形成在中间层(12)上的超导层(13)。中间层(12)具有不小于0.4μm的厚度。中间层(12)优选由具有选自氯化钠结构、荧石结构、钙钛矿结构和烧绿石结构的至少一种晶体结构的氧化物制成。

公开(公告)号：CN100477020C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200480022579.6

申请日：2004-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤野刚三 ,  大松一也 ,  小西昌也 ,  母仓修司

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2454

Abstract: 一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP-V。还公开了一种制造这种超导线的方法。由于取向金属衬底的平坦化同时保持了衬底表面层内的双轴取向，因此超导线具有高超导性能。

公开(公告)号：CN1997779A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580023975.5

申请日：2005-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: C30B29/22 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/2461 ,  C23C14/024 ,  C23C14/028 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明披露了薄膜材料和制造该薄膜材料的方法，用该方法能够提高形成于基板上的膜的性质。超导线材1包括基板2、形成于基板上并包括一层或至少两层的中间薄膜层(中间层3)、和形成于中间薄膜层(中间层3)上的单晶薄膜层(超导层4)。在中间薄膜层(中间层3)的至少一层中与单晶薄膜层(超导层4)相对的上表面(被研磨面10)是研磨过的。

公开(公告)号：CN1739171A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002361.4

申请日：2004-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: H01B13/00 ,  H01B12/06 ,  H01L39/24 ,  C23C14/08 ,  C01G3/00 ,  C01G1/00 ,  C01G25/00

CPC classification number: H01L39/2422

Abstract: 一种超导体的制造方法，其中通过重复两次或两次以上膜淀积在基底层上形成超导层。每次淀积形成的超导膜的膜厚被设定在0.3μm或以下，使得即使超导层厚度大时Jc的减少较小，由此增大超导体的Ic。

公开(公告)号：CN1489638A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804474.6

申请日：2002-02-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 母仓修司 ,  大松一也

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/46

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/087 ,  C23C14/28 ,  C23C14/505

Abstract: 本发明公开了一种可以在大面积的基板上形成膜的成膜方法和成膜装置。在该成膜方法中，从靶材(14)的表面使成膜材料飞散，通过使该飞散的成膜材料堆积在基板(12)上而形成膜。该成膜方法包括：使基板(12)的表面相对靶材(14)的表面成一定的角度而配置基板(12)和靶材(14)的工序，和使基板(12)相对靶材(14)移动到相对的位置处，同时在二维方向上连续地增加薄膜表面的面积，从而在基板(12)上形成膜的成膜工序。