使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法以及制造具有连通孔的制品的方法

    公开(公告)号:CN101667555B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200910175121.9

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法,其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件,并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型,以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜,该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后,通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜,以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

    压印方法和使用压印方法的基板的处理方法

    公开(公告)号:CN101765809B

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN200880100985.8

    申请日:2008-08-01

    CPC classification number: G03F7/0002 B29C33/424 B82Y10/00 B82Y40/00

    Abstract: 一种用于将模具的图案压印到基板上的树脂材料上的压印方法包括:通过使模具与在基板上形成的树脂材料相接触而形成第一处理区域和在第一处理区域的周边的树脂材料的外侧区域的步骤,其中在所述第一处理区域中形成与模具的图案相对应的压印图案;在第一处理区域上形成用于保护第一处理区域的第一保护层的步骤;以及在第一处理区域中的树脂材料层上形成的压印图案受到第一保护层保护从而不被去除的同时去除外侧区域中的树脂材料层的步骤。

    图案形成方法、由此形成的图案或模具

    公开(公告)号:CN101681095A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200880016608.6

    申请日:2008-05-22

    CPC classification number: G03F7/0017 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F7/0002

    Abstract: 一种图案形成方法,包括:在形成于基材上的薄膜的表面上形成抗蚀剂的图案的步骤;在抗蚀剂的图案上形成反转层的步骤;通过在去除反转层以露出抗蚀剂的表面之后去除抗蚀剂、形成与抗蚀剂的图案互补的反转层的反转图案的步骤;通过以反转层的反转图案为掩模蚀刻薄膜、形成包含其上形成反转层的薄膜的硬掩模层的步骤;以及以其上保留反转层的硬掩模层或其上已去除反转层的硬掩模层作为掩模蚀刻基材的步骤。

    模子、图案形成方法以及图案形成设备

    公开(公告)号:CN100503265C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200610091716.2

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 一种用于形成图案的图案形成方法,包括:制备模子104,该模子104具有包括图案区域1000的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及被设在远离第二表面并靠近第一表面的位置处的对准标记2070;使模子104的图案区域1000与设在衬底5000上的涂覆材料接触;在涂覆材料被设于衬底5000上的对准标记2070和衬底5000彼此相对的部分处的情况下,通过利用对准标记2070和在衬底5000上设置的标记5300,来获得关于模子104和衬底5000的位置信息;以及在所述信息的基础上,实施衬底5000与模子104的高精度对准。

    模子、图案形成方法以及图案形成设备

    公开(公告)号:CN1876395A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610091716.2

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 一种用于形成图案的图案形成方法,包括:制备模子104,该模子104具有包括图案区域1000的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及被设在远离第二表面并靠近第一表面的位置处的对准标记2070;使模子104的图案区域1000与设在衬底5000上的涂覆材料接触;在涂覆材料被设于衬底5000上的对准标记2070和衬底5000彼此相对的部分处的情况下,通过利用对准标记2070和在衬底5000上设置的标记5300,来获得关于模子104和衬底5000的位置信息;以及在所述信息的基础上,实施衬底5000与模子104的高精度对准。

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