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公开(公告)号：CN105566913B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201510725622.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 包含由式(1)表示的构成单元并且具有3,000‑500,000的Mw的有机硅树脂含有：10‑50wt％的(A‑1)具有10‑40wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第一有机硅树脂和(A‑2)具有50‑80wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第二有机硅树脂。包含有机硅树脂的树脂组合物能够以膜形式形成，并且其具有令人满意的对于大尺寸/薄晶片的覆盖或封装性能。树脂组合物或树脂膜确保令人满意的粘合性、低翘曲和晶片保护性。该树脂膜可用于晶片级包装。
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公开(公告)号：CN110176432A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910491197.6
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN107919314A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710940342.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J161/12 , C09J183/06
CPC classification number: H01L24/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B17/064 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/24 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/283 , B32B37/02 , B32B37/12 , B32B38/10 , B32B2037/0092 , B32B2037/1253 , B32B2037/1269 , B32B2038/0016 , B32B2250/03 , B32B2250/04 , B32B2250/05 , B32B2270/00 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/414 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , B32B2457/12 , B32B2457/14 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08G77/80 , C09J163/00 , C09J183/10 , H01L21/6836 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , C09J161/12 , C09J183/06 , H01L2221/68327 , C08L83/06 , C08L61/12
Abstract: 本文公开了适合于制备薄晶片的晶片层合体和用于制备晶片层合体的方法。可以容易地通过载体和晶片之间的结合形成晶片层合体并且其可以容易地彼此分离。其促进了薄晶片的生产率。晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使得具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物的固化产物，树脂A具有光阻隔效果和树脂B具有硅氧烷骨架。
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公开(公告)号：CN107039239A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611069822.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G77/04 , C08G77/455 , C08G77/52 , C09J183/04 , C09J183/10 , C09J183/14 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L21/02008 , H01L21/02013 , H01L21/02016 , H01L21/568
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。
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公开(公告)号：CN106415823A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580018117.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/312 , H01L23/52 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/28 , H05K3/40
CPC classification number: H01L23/562 , C08G59/3281 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D163/00 , C09D183/14 , C23C14/00 , C23C14/042 , C23C14/34 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D7/123 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/12 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/8203 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/3511 , H05K1/185 , H05K2201/10515 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106249547A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610404738.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光固化性树脂组合物，当其用于形成图案时，能够容易地形成高膜厚且微小的图案。为此，本发明提供一种光固化性树脂组合物，其含有：(A)硅酮高分子化合物，其具有由下述通式(1)和(2)所示的重复单元；(B)光致产酸剂，其利用波长190～500nm的光而分解，并产生酸；(C)选自下述化合物中的1种或2种以上的化合物：被甲醛或甲醛-醇类改性后的氨基缩合物、在1分子中平均具有2个以上羟甲基或烷氧基羟甲基的酚类化合物、以及将多元酚的羟基以缩水甘油氧基取代而成的化合物；以及，(D)选自具有3个以上羟基的多元酚中的1种或2种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN105566913A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510725622.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 包含由式(1)表示的构成单元并且具有3,000-500,000的Mw的有机硅树脂含有：10-50wt％的(A-1)具有10-40wt％的有机硅含量的第一有机硅树脂和(A-2)具有50-80wt％的有机硅含量的第二有机硅树脂。包含有机硅树脂的树脂组合物能够以膜形式形成，并且其具有令人满意的对于大尺寸/薄晶片的覆盖或封装性能。树脂组合物或树脂膜确保令人满意的粘合性、低翘曲和晶片保护性。该树脂膜可用于晶片级包装。
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公开(公告)号：CN105470188A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510624839.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/02 , C09J183/04
Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
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公开(公告)号：CN108666224B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810254959.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供了半导体器件，其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。
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公开(公告)号：CN110176432B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910491197.6
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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