一种模拟星表材料在轨剂量分布的地面辐照试验方法

    公开(公告)号:CN115438559A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211262139.4

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种模拟星表材料在轨剂量分布的地面辐照试验方法,包括:基于卫星轨道参数和设计寿命,分析卫星在寿命期内遭遇的包含低能等离子体的电子和质子能谱;基于星表材料面密度、应用状态以及轨道上的粒子能谱,分析星表材料在轨剂量‑深度分布曲线;计算地面容易获得的单能质子或电子在材料中沉积的电离剂量随深度分布数据,形成地面试验单能粒子剂量分布数据库;基于星表材料的在轨剂量‑深度分布曲线,从试验粒子数据库中挑选合适的粒子能量、粒子类型及总通量,使选取的试验粒子产生的剂量‑深度分布曲线组合后,完整包络星表材料厚度范围内的在轨剂量‑深度分布曲线;基于此,本发明完整重现星表材料在轨服役期间遭受的电离剂量分布。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G11C29/10 G11C29/56

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种FPGA单粒子软错误影响评估方法

    公开(公告)号:CN104461808A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410636120.0

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法,能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置,综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量,获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率,并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。

Patent Agency Ranking