导电性粘接膜
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106574151B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201580045111.7

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 本发明提供一种粘接膜和使用了该粘接膜的半导体加工方法,所述粘接膜耐热性优异且应力缓和性也优异,并且无需使用银等昂贵的贵金属即可获得还可适用于功率半导体背面电极的这样的高导电性,不会从元件中溢出,可获得足够的粘接强度。具体而言,提供一种导电性粘接膜,所述导电性粘接膜包含至少含Cu的两种以上的金属颗粒和具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子。另外,还提供一种在该导电性接合膜上层叠切割胶带而形成的切割芯片粘接膜、以及使用了该粘接膜、切割芯片粘接膜的半导体晶片的加工方法。

    导电性粘接剂组合物及使用其的导电性粘接膜和切割芯片接合膜

    公开(公告)号:CN108473845A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680077009.X

    申请日:2016-12-16

    Abstract: 本发明提供导电性粘接剂组合物及使用其的导电性粘接膜和切割芯片接合膜,该导电性粘接剂组合物例如适合作为将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的电路电极部上时的导电接合材料,并能将在实现无铅化的同时在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面特别优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的电路电极部之间。本发明的导电性粘接剂组合物包含金属粒子(Q)以及规定的有机磷化合物(A),金属粒子(Q)包含第一金属粒子(Q1),第一金属粒子(Q1)由从铜、镍、铝以及锡所组成的组中选择的1种金属构成或者由含有从该组中选择的2种以上金属的合金构成。

    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜

    公开(公告)号:CN108431159A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201680076981.5

    申请日:2016-12-16

    Abstract: 本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜,该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料,并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(Q)、树脂(M)以及规定的有机磷化合物(A),所述树脂(M)包含热固性树脂(M1),所述金属粒子(Q)的平均粒径(d50)为20μm以下,且所述金属粒子(Q)包含10质量%以上的第一金属粒子(Q1),所述第一金属粒子(Q1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。

    晶片加工用带
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103013365A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201110286708.4

    申请日:2011-09-23

    Abstract: 本发明涉及晶片加工用带,其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带,该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性,在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性,且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成,基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。

    晶圆加工用胶带
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102373016A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110036207.0

    申请日:2011-02-11

    Abstract: 本发明提供一种晶圆加工用胶带。本发明的课题是在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时,抑制接合剂层从粘接带剥离。作为解决手段,在该晶圆加工用胶带中,剥离膜(2)沿长度方向被卷绕成卷筒状,在平面视中,接合剂层(3)具有主要部(3a)和与主要部(3a)连接的至少一个突出部(3b),突出部(3b)中的至少一个的突出长度d为4mm以上,突出部(3b)的末端角度θ为80°以上且不足120°,突出部(3b)的末端的曲率半径r不足4mm,突出部(3b)的末端与粘接带(4)的外缘之间的距离l为5mm以上,突出部(3b)形成于接合剂层(3)中的剥离膜(2)的剥下方向的上游侧。

    晶片加工用胶带和使用其的半导体加工方法

    公开(公告)号:CN102337089A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110188172.2

    申请日:2011-07-06

    Abstract: 本发明提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割芯片粘贴带10,该晶片加工用胶带的特征在于:支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成;共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1%以上且不足10%,并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上。

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