回焊对应切晶带
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111868887B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN201980020184.9

    申请日:2019-12-03

    Inventor: 浅沼匠

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种回焊对应切晶用带,其可防止由辐射固化型粘着剂层产生释气,具有优异的耐污染性。一种回焊对应切晶带,其具备基材层和设置于该基材层上的辐射固化型粘着剂层,将硅晶片贴合到上述辐射固化型粘着剂层上后,进行放射线照射,之后在210℃进行10分钟的加热处理,在该加热处理后将上述硅晶片从上述辐射固化型粘着剂层剥离,此时,通过X射线光电子能谱法测定上述硅晶片的贴合面时的碳量为30mol%以下。

    回焊对应切晶带
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111868887A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980020184.9

    申请日:2019-12-03

    Inventor: 浅沼匠

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种回焊对应切晶用带,其可防止由辐射固化型粘着剂层产生释气,具有优异的耐污染性。一种回焊对应切晶带,其具备基材层和设置于该基材层上的辐射固化型粘着剂层,将硅晶片贴合到上述辐射固化型粘着剂层上后,进行放射线照射,之后在210℃进行10分钟的加热处理,在该加热处理后将上述硅晶片从上述辐射固化型粘着剂层剥离,此时,通过X射线光电子能谱法测定上述硅晶片的贴合面时的碳量为30mol%以下。

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