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公开(公告)号：CN101425541A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
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公开(公告)号：CN100481516C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200380107812.6
申请日：2003-12-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
Abstract: 半导体存储装置具有存储功能体(261，262)，存储功能体具有以下功能：将电荷保持在经由栅绝缘膜(214)而形成在半导体层(211)上的单一的栅电极(217)的两侧；存储功能体分别含有具有电荷存储区(250)的电荷保持膜(242)；电荷存储区(250)横跨沟道区(273)的一部分和配置在沟道区的两侧的扩散区(212，213)的一部分而存在；由于存储功能体独立于栅绝缘膜而形成在栅电极的两侧，因此可以进行2位的动作；进一步，由于各存储功能体由栅电极被分离，因此可有效地抑制改写时的干扰，并且可以使栅绝缘膜薄膜化，并抑制短沟道效果；因而存储元件易于实现微型化。
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公开(公告)号：CN100382322C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410044742.0
申请日：2004-05-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L29/6684
Abstract: 一种半导体存储器件，它包含：经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极；排列在栅电极下方的沟道区；排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区；以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，其中，各个扩散区具有：排列成偏移于栅电极的高浓度杂质区；以及排列成与高浓度杂质区相接触以便与栅电极重叠的低浓度杂质区，且当电压被施加到栅电极时，从一个扩散区流到另一个扩散区的电流量，根据保持在存储功能单元中的电荷量而被改变。
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公开(公告)号：CN1303695C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410044696.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L21/8239 , G06K19/07
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
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公开(公告)号：CN1263141C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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公开(公告)号：CN1707800A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510087825.2
申请日：2005-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/8239 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN106664082B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号：CN102074631B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
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公开(公告)号：CN102831870B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210311483.8
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及显示装置和显示装置的亮度不均校正方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值（或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值）。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
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公开(公告)号：CN103022185B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210353873.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电模块和光伏发电模块阵列，本发明的光伏发电模块具备：多个光伏发电元件经由连接点串联连接的群发电部；连接于所述群发电部构成的串联电路的两端的一对输出端子；以及与从所述连接点中特别指定的特别指定连接点连接的特别指定端子。
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