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公开(公告)号：CN1574366A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044696.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L21/8239 , G06K19/07
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
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公开(公告)号：CN110313122A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880010788.0
申请日：2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(4)包括：具有初级绕组和多个次级绕组的变压器(TR4)；与初级绕组连接的初级侧电路(10)；以及分别与多个次级绕组连接的多个次级侧电路(20、25)。次级侧电路(20)进行向初级侧电路(10)或次级侧电路(25)传输电能的电能再生动作。次级侧电路(20)包含对从变压器(TR4)的初级侧传输的电能进行整流的MOSFET(Q5、Q6)和蓄积整流后的电能的电容器(C1)，并进行使电容器(C1)放电而使电流流入变压器(TR4)的次级绕组的放电动作。由此能够提供稳定地输出多个电压并具有高电能转换效率的电源装置。
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公开(公告)号：CN104956283A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071705.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F25B27/00 , F25B49/025 , F25B2600/021 , G05F1/67 , H02J7/345 , H02J7/35 , H02P7/06 , H02P27/06 , H02P29/032 , Y02B30/741 , Y02E10/58
Abstract: 太阳能利用系统(100)具备：太阳能电池板(101)、由太阳能输出电功率驱动的电机(122)以及防止驱动中的电机失速的电机失速防止装置，选择如下任意一种电机失速防止装置作为上述电机失速防止装置：(a)将太阳能输出电压限制为比太阳能电池板在该时点输出最大电功率的电压高的电压的电机失速防止装置；(b)将太阳能输出电压限制为在P-V曲线上当改变该输出电压时变化率为负的电压的电机失速防止装置；以及(c)包括与太阳能电池板并联连接而积蓄太阳能电池板产生的电功率的电容器(317)的电机失速防止装置。
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公开(公告)号：CN104685774A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051233.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , H02M1/088 , Y02B70/1475
Abstract: DC-DC转换器具备：变压器；开关电路，其设置于上述变压器的初级侧；以及整流电路，其设置于上述变压器的次级侧。上述整流电路包含第1整流部，上述第1整流部是第1晶体管和第2晶体管的串联连接体，上述第2晶体管的第1电极连接到上述第1晶体管的第2电极。上述第1晶体管和第2晶体管各自具有正向连接到第2电极和第1电极间的寄生二极管，上述第1晶体管的第1电极和第2电极间的耐压高于上述第2晶体管的第1电极和第2电极间的耐压。
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公开(公告)号：CN102971873A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101425541A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
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公开(公告)号：CN100481516C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200380107812.6
申请日：2003-12-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
Abstract: 半导体存储装置具有存储功能体(261，262)，存储功能体具有以下功能：将电荷保持在经由栅绝缘膜(214)而形成在半导体层(211)上的单一的栅电极(217)的两侧；存储功能体分别含有具有电荷存储区(250)的电荷保持膜(242)；电荷存储区(250)横跨沟道区(273)的一部分和配置在沟道区的两侧的扩散区(212，213)的一部分而存在；由于存储功能体独立于栅绝缘膜而形成在栅电极的两侧，因此可以进行2位的动作；进一步，由于各存储功能体由栅电极被分离，因此可有效地抑制改写时的干扰，并且可以使栅绝缘膜薄膜化，并抑制短沟道效果；因而存储元件易于实现微型化。
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公开(公告)号：CN100382322C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410044742.0
申请日：2004-05-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L29/6684
Abstract: 一种半导体存储器件，它包含：经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极；排列在栅电极下方的沟道区；排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区；以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，其中，各个扩散区具有：排列成偏移于栅电极的高浓度杂质区；以及排列成与高浓度杂质区相接触以便与栅电极重叠的低浓度杂质区，且当电压被施加到栅电极时，从一个扩散区流到另一个扩散区的电流量，根据保持在存储功能单元中的电荷量而被改变。
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公开(公告)号：CN1303695C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410044696.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L21/8239 , G06K19/07
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
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公开(公告)号：CN1263141C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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