公开(公告)号：CN101634010A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910166952.X

申请日：2009-06-12

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 植木明 ,  增田彰 ,  高崎薰 ,  財田真人

IPC: C23C14/08 ,  C30B29/16 ,  C04B35/04

Abstract: 本发明提供通过电子束蒸镀法能够形成高度均匀地分散有稀土类金属的氧化镁膜的蒸镀材料。多晶氧化镁材料包含平均结晶粒径为2.0～50μm的氧化镁结晶粒子的多晶体，稀土类金属以0.005～0.060质量％的量分散在氧化镁结晶粒子中。

公开(公告)号：CN101362945A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810215445.6

申请日：2008-08-08

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 稻垣彻 ,  出光隆 ,  植木明

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/79 ,  H01J61/35

Abstract: 本发明涉及蓝色发光荧光体。本发明提供一种在用于在放电气体中采用汞气体的冷阴极荧光灯的情形下，难以因汞等的附着而引起发光亮度的降低的CMS:Eu2+蓝色发光荧光体。由相对于蓝色发光荧光体粒子100质量份为4～18质量份范围的包含含铝氧化物的被膜被覆用CaMgSi2O6:Eu2+表示基本组成式的蓝色发光荧光体粒子而形成的蓝色发光荧光体。

公开(公告)号：CN101269826A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810095157.1

申请日：2008-02-29

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 加藤裕三 ,  植木明

IPC: C01F5/02

Abstract: 本发明提供一种氧化镁粉末，其当被由Xe气体的气体放电而产生的紫外光激发时，高效率地放出波长为250nm附近的紫外光。含氯的氧化镁粉末的氯含量范围为0.005～10质量％，除氯以外的总量中氧化镁的纯度为99.8质量％以上、且BET比表面积在0.1～30m2/g范围。

公开(公告)号：CN1609262A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410095149.9

申请日：2004-10-21

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 植木明 ,  增田彰 ,  加藤裕三

IPC: C23C14/08 ,  B22F3/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供可以有效地用于通过电子束蒸镀法，形成作为交流型等离子显示板的电介质层保护膜有用的氧化镁膜的氧化镁蒸镀材料。它是含有0.01～6摩尔％范围的金属元素化合价为3价、4价或5价的任意一种的金属氧化物的氧化镁蒸镀材料。而且是含有氧化镁以外的碱土金属氧化物和金属元素化合价为3价、4价或5价的任意一种的金属氧化物的氧化镁蒸镀材料，换算成金属元素量分别为0.005摩尔％以上，并且换算成金属元素量，该总量为6摩尔％以下。

公开(公告)号：CN103687977B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280032640.X

申请日：2012-06-29

Applicant: 宇部材料工业株式会社 ,  日本钨株式会社

Inventor： 佐野聪 ,  西村芳宽 ,  渡边高行 ,  加藤裕三 ,  植木明 ,  味富晋三 ,  高巢正信 ,  原勇介 ,  田中敬章

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/053 ,  C04B35/5607 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。

公开(公告)号：CN101362946B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200810129839.X

申请日：2008-08-07

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 植木明 ,  加藤裕三 ,  出光隆 ,  稻垣彻

IPC: C09K11/55 ,  H01J17/02

Abstract: 本发明涉及氧化镁烧成物粉末。本发明提供一种氧化镁粉末，其当被由Xe气体的气体放电而产生的紫外光激发时，高效率地放出波长250nm附近的紫外光。氧化镁烧成物粉末是烧成粉末混合物而获得的氧化镁烧成物粉末，所述粉末混合物含有氧化镁源粉末、以及选自碱金属、镁以外的碱土类金属、稀土类金属、铝、锌和锡的至少1种辅助金属的氟化物的粉末，其相对于氧化镁源粉末中的镁100摩尔以0.05～30摩尔量含有氟化物。

公开(公告)号：CN101634010B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910166952.X

申请日：2009-06-12

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 植木明 ,  增田彰 ,  高崎薰 ,  財田真人

IPC: C23C14/08 ,  C30B29/16 ,  C04B35/04

Abstract: 本发明提供通过电子束蒸镀法能够形成高度均匀地分散有稀土类金属的氧化镁膜的蒸镀材料。多晶氧化镁材料包含平均结晶粒径为2.0～50μm的氧化镁结晶粒子的多晶体，稀土类金属以0.005～0.060质量％的量分散在氧化镁结晶粒子中。

公开(公告)号：CN101372345B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810161161.3

申请日：2008-08-21

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 植木明 ,  加藤裕三

IPC: C01F5/06 ,  C09K11/61

Abstract: 本发明提供一种氧化镁烧成物粉末的制造方法，制得的氧化镁烧成物粉末，当利用由Xe气放电生成的紫外光激发时，能以高效率释放出在250nm波长附近具有峰值波长的紫外光。通过烧成生成氧化镁，除了氧化镁和氟化镁之外，将镁化合物的粉末在氟源的存在下，以850～1500℃的温度进行烧成。

公开(公告)号：CN101274821B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810096364.9

申请日：2008-03-26

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 在田洋 ,  河野诚 ,  稻垣彻 ,  植木明

IPC: C03C17/23 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供了一种用涂布法制造可见光透过性高的、而且耐溅射性高的氧化镁薄膜的技术。本发明如下制造膜厚为100～1000nm范围、白色光透过率在95％以上的氧化镁薄膜：在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的D50为5～40nm范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5～3.5摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中12族、13族、14族或15族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数3～5的一元醇作为分散介质。

公开(公告)号：CN101831294A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010139777.8

申请日：2010-03-10

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 稻垣彻 ,  山内正人 ,  野口诚司 ,  福田晃一 ,  植木明

IPC: C09K11/79

Abstract: 本发明提供一种发光强度高且对热的稳定性高的蓝色发光荧光体。一种蓝色发光荧光体，其基本组成式由Sr3-xMgSi2O8:Eux(其中，x为0.008～0.110范围的数值)表示，具有与镁硅钙石相同的晶体结构，由使用入射角为θ的CuKα射线测得的衍射角2θ在20～130度范围的X射线衍射图案，通过Le？Bail法求得的晶格应变为0.055％以下。