-
公开(公告)号：CN107112268A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005492.0
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 公开了用于使用止动器、致动器和发射器/检测器来测量两个部件之间的接近度的设备与方法，所述发射器/检测器使光通过所述致动器中的通路。所述通路提供对光的衰减，所述衰减随部件之间的间隙改变而改变，从而允许对间隙的测量与控制。还描述了使用设备来确定部件的拓扑的方法。
-
公开(公告)号：CN105765697A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064262.2
申请日：2014-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理腔室与方法，所述基板处理腔室一般包括气体分配组件、基座组件与气体转向器，所述基座组件用于沿着邻近气体分配组件的每一个的路径旋转基板，气体转向器用于改变处理腔室中的气体流动的角度。
-
公开(公告)号：CN105225985A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510355699.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹具底表面、在所述处理夹具主体中的一或多个开口。所述至少一个接近传感器保持在所述处理夹具主体中的所述开口的至少一个之内。所述基座包含基座板，所述基座板具有基座板顶表面、基座中心点，和形成在所述基座板顶表面中与所述基座中心点相距距离RR的一或多个凹槽。
-
公开(公告)号：CN105121697A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480008730.4
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/455 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , C23C16/4586 , H01L21/02104
Abstract: 兹描述用于处理半导体晶圆，使晶圆于处理期间仍保持在适当位置的装置和方法。晶圆受到顶表面与底表面间的压差作用，因而有足够的力防止晶圆于处理时移动。
-
公开(公告)号：CN105051879A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480013813.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/52 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 所述为用于处理半导体晶圆的设备与方法，其中，定位在气体分配组件中的光学传感器于沉积期间测量温度和/或膜参数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051251A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480008685.2
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , C23C16/4584
Abstract: 本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie-shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基座和该气体分配组件之间的缝隙。本文还描述的是使用该等气体分配组件、基座组件及处理室的方法。
-
公开(公告)号：CN107924813B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201680047304.0
申请日：2016-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/205 , H01L21/683
Abstract: 公开一种用于加热衬底的加热装置，所述加热装置具有石墨主体和至少一个加热元件，所述至少一个加热元件包括设置在所述主体内的连续材料区段。也公开了包括所述加热装置的处理腔室。
-
公开(公告)号：CN107365976B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710580400.8
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法，其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承，以举起该晶圆往气体分配组件。
-
公开(公告)号：CN111742401A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014053.X
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455
Abstract: 描述了加热器，加热器具有有顶部和底部的主体，加热器包括热解氮化硼(PBN)、第一加热器电极、和第二加热器电极。加热器电极可以封闭在电绝缘支座内并连接到单独的汇流条以提供电力。还描述了包括一个或多个加热器的加热器组件和包括该加热器组件的处理腔室。
-
公开(公告)号：CN110265328A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910521735.1
申请日：2015-06-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹具底表面、在所述处理夹具主体中的一或多个开口。所述至少一个接近传感器保持在所述处理夹具主体中的所述开口的至少一个之内。所述基座包含基座板，所述基座板具有基座板顶表面、基座中心点，和形成在所述基座板顶表面中与所述基座中心点相距距离RR的一或多个凹槽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.035 seconds)
