切割芯片接合薄膜
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108735650B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201810343654.2

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构,粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30%时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30%时产生的拉伸应力的比值为0.9~1.1。

    复合半透膜及其制造方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111050891A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880058948.9

    申请日:2018-08-16

    Abstract: 本发明的目的在于,提供耐氧化剂性(耐氯性)和盐截留性优异的复合半透膜及其制造方法。本发明的复合半透膜的特征在于,在多孔性支撑体的表面上形成有包含聚酰胺系树脂的表皮层,所述聚酰胺系树脂是将多官能胺成分与多官能酰卤成分聚合而得到的,上述多官能胺成分包含脂环式二胺,上述表皮层的利用FT-IR(傅里叶变换红外光谱法)的透射法得到的、来自酰胺基的C=O伸缩振动的吸收峰强度为0.03以上。

    切割芯片接合薄膜
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108728003A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810345162.7

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜,其适合于使粘接剂层确保在扩展工序中的割断性并且实现对环形框等框构件的良好的粘合力。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘接剂层(20)的对宽度4mm的粘接剂层试样片在初始夹具间距离10mm、频率10Hz、动态应变±0.5μm、及升温速度5℃/分钟的条件下测定的-15℃下的拉伸储能模量为1000~4000MPa,并且在前述条件下测定的23℃下的拉伸储能模量为10~240MPa。

Patent Agency Ranking