公开(公告)号：CN102899629A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210267243.2

申请日：2012-07-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  坂田义昌 ,  菅原英男 ,  家仓健吉 ,  滨田明 ,  伊藤喜久 ,  石桥邦昭

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  B32B15/04

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C14/021 ,  C23C14/562 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。

公开(公告)号：CN102758190A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210132151.3

申请日：2012-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  坂田义昌 ,  菅原英男 ,  家仓健吉 ,  滨田明 ,  伊藤喜久 ,  石桥邦昭

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  B32B15/04

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67173 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。