公开(公告)号：CN100524662C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610059812.9

申请日：2006-03-15

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。

公开(公告)号：CN101263606A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033530.X

申请日：2006-08-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  下井田良雄 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。

公开(公告)号：CN101083280A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610083496.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

公开(公告)号：CN104247130B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380021311.X

申请日：2013-03-18

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本伸司 ,  田中秀明 ,  荻原航

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/0447 ,  H01M4/133 ,  H01M4/366 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/058 ,  H01M2004/028 ,  Y02T10/7011 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明提供抑制了电解液、负极活性物质的劣化的、循环耐久性优异的非水电解质二次电池及其制造方法。本发明的非水电解质二次电池具备能够掺杂·去掺杂锂离子的正极，锂、锂合金或能嵌入·脱嵌锂离子的负极，以及包含有机溶剂、锂盐电解质和添加剂的电解液，正极的正极活性物质含有用下式(1)表示的层状系含锂过渡金属氧化物和存在于其局部的尖晶石相，Li1.5[NiaCobMnc[Li]d]O3…(1)(式中的a、b、c和d满足0

公开(公告)号：CN104508893A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040875.8

申请日：2013-06-19

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本伸司 ,  田中秀明 ,  佐藤一

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/505 ,  H01M4/52 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M2220/20 ,  H01M2300/0025 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 在非水系有机电解液二次电池中，下式所示的正极与负极的对充电容量比(A/C)设定为1.10以上且1.35以下。A/C＝β×(负极充电容量×α)/(正极充电容量×η×τ)(式中的α是用负极面积/正极面积表示的电极面积系数，α>1.0，β是设计系数，0.85≤β≤1.15，η表示(25℃下的充放电效率)/(55℃下的充放电效率)所示的充放电效率比，τ表示(55℃下的充电容量)/(25℃下的充电容量)所示的温度特性系数)。

公开(公告)号：CN104247130A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021311.X

申请日：2013-03-18

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本伸司 ,  田中秀明 ,  荻原航

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/0447 ,  H01M4/133 ,  H01M4/366 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/058 ,  H01M2004/028 ,  Y02T10/7011 ,  Y10T29/49108 ,  H01M4/0445

Abstract: 本发明提供抑制了电解液、负极活性物质的劣化的、循环耐久性优异的非水电解质二次电池及其制造方法。本发明的非水电解质二次电池具备能够掺杂·去掺杂锂离子的正极，锂、锂合金或能嵌入·脱嵌锂离子的负极，以及包含有机溶剂、锂盐电解质和添加剂的电解液，正极的正极活性物质含有用下式(1)表示的层状系含锂过渡金属氧化物和存在于其局部的尖晶石相，Li1.5[NiaCobMnc[Li]d]O3…(1)(式中的a、b、c和d满足0

公开(公告)号：CN101165864B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200710182015.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体基体；异质半导体区域，其由带隙与半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与半导体基体结合形成异质结；栅极绝缘膜，其被配置成与半导体基体和异质半导体区域之间的异质结接触；栅电极，其被配置成与栅极绝缘膜接触；源电极，其被连接到异质半导体区域；以及漏电极，其被连接到半导体基体。所述制造方法包括：通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成用于源电极的源极接触孔和栅电极。

公开(公告)号：CN101055894B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710090575.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7808 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。

公开(公告)号：CN101083280B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200610083496.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

公开(公告)号：CN101064344B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710097691.1

申请日：2007-04-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。