公开(公告)号：CN101223629B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200680026370.6

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  下井田良雄

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种制造具有多晶硅层(5)的半导体装置的方法，该方法包括：在多晶硅层(5)上形成掩模层(7)的步骤；形成设置在掩模层(7)的侧面上并覆盖部分多晶硅层(6)的侧壁(8)的步骤；通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模向多晶硅层(5)中掺入杂质(52)的步骤；以及通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模蚀刻多晶硅层(5，6)的步骤。

公开(公告)号：CN101320688B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810110641.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件。这里教导了制造包括半导体衬底和异质半导体区的半导体器件的方法以及所生成的器件，其中该异质半导体区包括带隙不同于半导体衬底的带隙、并接触半导体衬底的第一表面的一部分的异质半导体材料。该方法包括在半导体衬底的第一表面的暴露部分上和异质半导体材料的暴露表面上沉积第一绝缘膜，以及通过在氧化气氛中进行热处理来在第一绝缘膜与半导体衬底和异质半导体区域的面向第一绝缘膜的表面之间形成第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN101207123B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710160614.6

申请日：2007-12-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。

公开(公告)号：CN100561739C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610080989.7

申请日：2006-05-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  筱原俊朗 ,  山上滋春

IPC: H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一导电型的第一半导体基体；第一切换机构，其设置在第一半导体基体上，被布置和构造成切换流过半导体装置的电流的接通/断开；以及第一反向阻断异质结二极管，其设置在半导体基体上，被布置和构造成阻断与由第一切换机构切换而接通/断开的电流反向的电流。

公开(公告)号：CN100502002C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710097689.4

申请日：2007-04-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N-型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器，分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子，而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极，而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜，分别形成第一层和第二层的半导体区域。

公开(公告)号：CN101223629A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680026370.6

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  下井田良雄

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种制造具有多晶硅层(5)的半导体装置的方法，该方法包括：在多晶硅层(5)上形成掩模层(7)的步骤；形成设置在掩模层(7)的侧面上并覆盖部分多晶硅层(6)的侧壁(8)的步骤；通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模向多晶硅层(5)中掺入杂质(52)的步骤；以及通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模蚀刻多晶硅层(5，6)的步骤。

公开(公告)号：CN101101879A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710122884.8

申请日：2007-07-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101043054A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN109075377A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680085034.2

申请日：2016-04-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本健介 ,  荻原航 ,  狩野巌大郎 ,  田中秀明 ,  近藤洋一郎 ,  铃木正明 ,  田边刚志 ,  中野尚

IPC: H01M10/052 ,  H01M2/02 ,  H01M2/16 ,  H01M4/13 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M4/62

Abstract: 提供在具有大容量且大面积的非水电解质二次电池中，即使负极的活性物质使用高容量的Si材料与膨胀小的碳材料的混合物，也能够实现充分的充放电循环特性的手段。一种非水电解质二次电池，其特征在于，其电池体积相对于额定容量的比值为10cm3/Ah以下、且额定容量为3Ah以上，其具有发电元件，所述发电元件包含：正极，其是在正极集电体的表面形成包含正极活性物质的正极活性物质层而成的；负极，其是在负极集电体的表面形成包含负极活性物质的负极活性物质层而成的；以及隔膜，前述负极活性物质层含有式(1)＝α(Si材料)+β(碳材料)(式中，Si材料为选自由作为非晶SiO2颗粒与Si颗粒的混合体的SiOx(x表示用于满足Si的原子价的氧数)和含Si合金组成的组中的1种或2种以上，碳材料为选自由石墨、难石墨化碳、无定形碳组成的组中的1种或2种以上，α和β表示负极活性物质层中的各成分的质量％，80≤α+β≤98、0.1≤α≤40、58≤β≤97.9。)所示的负极活性物质，选择负极活性物质层面内的多个任意位置时的、负极活性物质层截面的各图像的视野面积中粘结剂所占的面积比率(％)的最大值与最小值之差为10％以内。

公开(公告)号：CN109075376A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084995.1

申请日：2016-04-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山本健介 ,  荻原航 ,  狩野巌大郎 ,  田中秀明 ,  近藤洋一郎 ,  铃木正明 ,  田边刚志 ,  中野尚

IPC: H01M10/052 ,  H01M2/02 ,  H01M2/16 ,  H01M4/13 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587

Abstract: [课题]提供：具有大容量且大面积的非水电解质二次电池中，即使使用高容量的Si材料与膨胀小的碳材料的混合物作为负极活性物质，也能达成充分的充放电循环特性的方案。[解决方案]一种非水电解质二次电池，其特征在于，电池体积(包括电池外壳体的电池的投影面积与电池的厚度之积)相对于额定容量之比的值为10cm3/Ah以下，额定容量为3Ah以上，所述非水电解质二次电池具有发电元件，所述发电元件包含：正极，其是在正极集电体的表面形成包含正极活性物质的正极活性物质层而成的；负极，其是在负极集电体的表面形成包含负极活性物质的负极活性物质层而成的；和，隔膜，前述负极活性物质层含有下述式(1)所示的负极活性物质：α(Si材料)+β(碳材料)(1)(式中，Si材料为选自由作为非晶SiO2颗粒与Si颗粒的混合体的SiOx(x表示用于满足Si的原子价的氧数)和含Si合金组成的组中的1种或2种以上，碳材料为选自由石墨、难石墨化碳和无定形碳组成的组中的1种或2种以上，α和β表示负极活性物质层中的各成分的质量％，80≤α+β≤98、0.1≤α≤40、58≤β≤97.9。)，将选择负极活性物质层面内的多个任意位置时的、负极活性物质层截面的各图像的视野面积中的Si材料和碳材料的面积比率(％)分别设为S(％)和(100-S)(％)的情况下，S的最大值与最小值之差为5％以内。