公开(公告)号：CN105658849A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580001462.8

申请日：2015-06-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC: C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: C30B29/38 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

公开(公告)号：CN102575384B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201080046040.X

申请日：2010-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  下平孝直 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。

公开(公告)号：CN102492993B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210003531.7

申请日：2007-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。

公开(公告)号：CN102471920A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030599.3

申请日：2010-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 下平孝直 ,  今井克宏 ,  岩井真

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L21/02639 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265

Abstract: 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。

公开(公告)号：CN102292476A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980155467.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  岩井真 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24355

Abstract: 以蓝宝石基板作为晶种基板，在其表面形成氮化镓薄膜，将其装入培育容器12中。再称取摩尔比25～32∶68～75的金属镓与金属钠装入培育容器12中。将此培育容器12放入反应容器20中，连结进气管22与反应容器20，介由压力控制器40从氮气瓶42中向反应容器20中填充氮气。然后，控制反应容器20内的氮气压使其达到所定值，设定各个目标温度使下层加热器46的温度高于上层加热器44，进行氮化镓晶体生长。由此可以获得晶粒尺寸大且位错密度小的3B族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN101611178A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005131.1

申请日：2008-01-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/08 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625

Abstract: 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。

公开(公告)号：CN101586253A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143035.X

申请日：2009-05-22

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 永井诚二 ,  山崎史郎 ,  药师康英 ,  佐藤峻之 ,  岩井真 ,  今井克宏 ,  森勇介 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明涉及N型III族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。

公开(公告)号：CN101405440A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780010241.2

申请日：2007-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。

公开(公告)号：CN116075608A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180054550.X

申请日：2021-07-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  平尾崇行 ,  今井克宏

IPC: C30B19/02

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，尽管是大口径，第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，直径为100mm以上，基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88％以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。

公开(公告)号：CN108779578B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201780011093.X

申请日：2017-02-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  仓冈义孝 ,  市村干也 ,  平尾崇行

IPC: C30B29/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L33/32

Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物自立基板中，使自立基板的上表面的蚀坑减少。自立基板12由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，所述自立基板具有上表面和底面，含有锌和钙中的至少一者，自立基板的上表面的均方根粗糙度Rms为3.0nm以下。