氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN105658849A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201580001462.8

    申请日:2015-06-25

    CPC classification number: C30B29/38 H01L33/02

    Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板,由在大致法线方向具有单晶结构的板形成,所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造:准备取向多晶烧结体,在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层,形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致,在晶种层上,形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层,形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致,除去取向多晶烧结体,得到氮化镓自立基板。根据本发明,能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

    3B族氮化物晶体
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102292476A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200980155467.0

    申请日:2009-12-21

    CPC classification number: C30B29/403 C30B9/10 C30B29/406 Y10T428/24355

    Abstract: 以蓝宝石基板作为晶种基板,在其表面形成氮化镓薄膜,将其装入培育容器12中。再称取摩尔比25~32∶68~75的金属镓与金属钠装入培育容器12中。将此培育容器12放入反应容器20中,连结进气管22与反应容器20,介由压力控制器40从氮气瓶42中向反应容器20中填充氮气。然后,控制反应容器20内的氮气压使其达到所定值,设定各个目标温度使下层加热器46的温度高于上层加热器44,进行氮化镓晶体生长。由此可以获得晶粒尺寸大且位错密度小的3B族氮化物晶体。

    III族元素氮化物半导体基板
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116075608A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202180054550.X

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板,其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板,尽管是大口径,第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板,其中,直径为100mm以上,基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88%以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。

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