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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN111886368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN105793476B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480064895.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/02 , H01L33/20
Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108699727A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780005781.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/18 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L31/0392 , H01L33/32 , H01L33/36 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
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公开(公告)号：CN105102695A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019026.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/208 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
Abstract: 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。
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公开(公告)号：CN102317512B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980156873.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B29/38 , C30B9/00
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。
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公开(公告)号：CN103180490A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051141.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序。该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。
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公开(公告)号：CN101925696B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980103154.0
申请日：2009-01-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/12
Abstract: 一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。
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