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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN102317512B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980156873.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B29/38 , C30B9/00
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。
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公开(公告)号：CN101925696B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980103154.0
申请日：2009-01-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/12
Abstract: 一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。
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公开(公告)号：CN114651092B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202080074003.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供能够减少13族元素氮化物结晶层的翘曲这样的厚度方向上的微结构。13族元素氮化物结晶层13包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶，且具有上表面以及底面。在将13族元素氮化物结晶层13沿着与上表面垂直的方向T切割得到的截面中利用阴极发光进行观测时，高亮度层5和低亮度层6交替存在，将高亮度层5的厚度tb设为1时，低亮度层6的厚度td为3以上10以下。
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公开(公告)号：CN111052415B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052414A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111033763A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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公开(公告)号：CN106068340A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580003750.7
申请日：2015-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406
Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。
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公开(公告)号：CN102575384B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080046040.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/08 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254
Abstract: 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。
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公开(公告)号：CN103732809A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038697.0
申请日：2012-07-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B33/06 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y10T156/11
Abstract: 在晶种基板11的培养面上，通过助熔剂法，从含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下设置13族元素氮化物膜3。在13族元素氮化物膜3的自晶种基板11侧的界面11a起50μm以下的区域，设置有分布了来自熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层3a，在夹杂物分布层3a上，设置有夹杂物很少的夹杂物缺乏层3b。从晶种基板11的背面1b侧照射激光A，通过激光剥离法，将13族元素氮化物单晶3从晶种基板11剥离。
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